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ARF1505 데이터시트 PDF




Advanced Power Technology에서 제조한 전자 부품 ARF1505은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 ARF1505 자료 제공

부품번호 ARF1505 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 Advanced Power Technology
로고 Advanced Power Technology 로고


ARF1505 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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ARF1505 데이터시트, 핀배열, 회로
S DS
ARF1505
www.DataSheet4U.com
D
RF POWER MOSFET
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
ARF1505
BeO
1525-xx
SGS
G
300V 750W
S
40MHz
The ARF1505 is an RF power transistor designed for off-line 300V operation in very high power scientific, commercial,
medical and industrial RF power generator and amplifier applications up to 40 MHz.
Specified 300 Volt, 27.12 MHz Characteristics:
Output Power = 750 Watts.
Gain = 17dB (Class C)
Efficiency > 75%
High Performance Power RF Package.
Very High Breakdown for Improved Ruggedness.
Low Thermal Resistance.
Nitride Passivated Die for Improved Reliability.
MAXIMUM RATINGS
Symbol
VDSS
ID
VGS
PD
TJ,TSTG
TL
Parameter
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current @ TC = 25°C
Gate-Source Voltage
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Operating and Storage Junction Temperature Range
Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.
All Ratings: TC = 25°C unless otherwise specified.
ARF1505
UNIT
1200
Volts
25 Amps
±30
1500
Volts
Watts
-55 to 200
300
°C
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol Characteristic / Test Conditions
MIN TYP MAX UNIT
BVDSS
VDS(ON)
Drain-Source Breakdown Voltage (VGS = 0V, ID = 250 µA)
On State Drain Voltage 1 (ID(ON) = 12.5A, VGS = 10V)
1200
8
9.5 Volts
IDSS
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = VDSS, VGS = 0V)
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 0.8 VDSS, VGS = 0V, TC = 125°C)
100
1000
µA
IGSS Gate-Source Leakage Current (VGS = ±30V, VDS = 0V)
±400 nA
gfs Forward Transconductance (VDS = 25V, ID = 12.5A)
5.5 6
mhos
Visolation RMS Voltage (60Hz Sinewave from terminals to mounting surface for 1 minute)
2500
Volts
VGS(TH) Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 50mA)
3 5 Volts
THERMAL CHARACTERISTICS
Symbol
RθJC
RθCS
Characteristic (per package unless otherwise noted)
Junction to Case
Case to Sink (Use High Efficiency Thermal Joint Compound and Planar Heat Sink Surface.)
MIN
TYP MAX
0.12
0.09
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.
APT Website - http://www.advancedpower.com
UNIT
°C/W




ARF1505 pdf, 반도체, 판매, 대치품
A RF1505 -- 27.12 MHz Test Circ uit
www.DataSheet4U.com
C7 C9
C6
L1 T L1
L4
L3
C 8 C 10
L2 C4
C 12
C5
C1
RF
Input
C2 R1
C3
C 11
R3
R2
V bias
300V
Output
C1, C7, C8, C11 .047mF 500V cerami disc
C2, C12 Arco 465 75-380pF mica trimmer
C3 2x 4700pF ATC 700B
C4, C9-C10 8200pF 500V NPO ceramic
C5 200pF ATC 100E
C6 150pF ATC 700B
L1 90nH 4t # 18 0.25"d .25"I
L2 200nH - 3t # 8 1" dia 1"I
L3 6µH - 22t # 24 enam 0.5"dia
L4 500nH 2t on 850µ .5" bead
R1-R3 1K1/4W
TL1 .112" x 1" (50) Stripline
J1
27 MHz Amp ARF1505
201
J2
R F 11-04
27 MHz Amp ARF1505
R F 11-04

4페이지












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