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PBSS5160DS 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 PBSS5160DS은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 PBSS5160DS 자료 제공

부품번호 PBSS5160DS 기능
기능 60V 1A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


PBSS5160DS 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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PBSS5160DS 데이터시트, 핀배열, 회로
PBSS5160DS
www.DataSheet4U.com
60 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor
Rev. 03 — 9 October 2008
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
PNP/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor pair in a small
SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PBSS4160DS.
1.2 Features
I Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
I High collector current capability IC and ICM
I High collector current gain (hFE) at high IC
I High efficiency due to less heat generation
I Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
1.3 Applications
I Dual low power switches (e.g. motors, fans)
I Automotive applications
1.4 Quick reference data
Table 1. Quick reference data
Symbol Parameter
Conditions
Min Typ Max Unit
VCEO
IC
ICM
RCEsat
collector-emitter voltage open base
collector current
peak collector current
collector-emitter saturation
resistance
single pulse;
tp 1 ms
IC = 1 A;
IB = 100 mA
-
[1] -
-
[2] -
- 60 V
- 1 A
- 2 A
250 330 m
[1] Device mounted on a ceramic PCB, Al2O3, standard footprint.
[2] Pulse test: tp 300 µs; δ ≤ 0.02.




PBSS5160DS pdf, 반도체, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
PBSS5160DSwww.DataSheet4U.com
60 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor
6. Thermal characteristics
Table 6. Thermal characteristics
Symbol Parameter
Per transistor
Rth(j-a)
thermal resistance from
junction to ambient
Conditions
in free air
Rth(j-sp)
thermal resistance from
junction to solder point
Per device
Rth(j-a)
thermal resistance from
junction to ambient
in free air
Min Typ Max Unit
[1] - - 431 K/W
[2] - - 338 K/W
[3] - - 278 K/W
- - 105 K/W
[1] - - 298 K/W
[2] - - 223 K/W
[3] - - 179 K/W
[1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
[2] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for collector 1 cm2.
[3] Device mounted on a ceramic PCB, Al2O3, standard footprint.
103
Zth(j-a)
(K/W)
102
δ=1
0.50
0.20
0.10
0.75
0.33
0.05
10 0.02
0.01
006aaa494
0
1
105
104
103
102
101
1
10 102 103
tp (s)
FR4 PCB, standard footprint
Fig 2. Transient thermal impedance from junction to ambient as a function of pulse duration; typical values
PBSS5160DS_3
Product data sheet
Rev. 03 — 9 October 2008
© NXP B.V. 2008. All rights reserved.
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PBSS5160DS 전자부품, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
PBSS5160DSwww.DataSheet4U.com
60 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor
600
hFE
400
(1)
(2)
200 (3)
006aaa474
2.0
IC
(A)
1.6
IB (mA) = 35.0
31.5
28.0
24.5
21.0
1.2
0.8
0.4
006aaa478
17.5
14.0
10.5
7.0
3.5
0
101
1
10
102
103
104
IC (mA)
VCE = 5 V
(1) Tamb = 100 °C
(2) Tamb = 25 °C
(3) Tamb = 55 °C
Fig 5. DC current gain as a function of collector
current; typical values
1.0
VBE
(V)
0.8
(1)
006aaa476
0.6
0.4
(2)
(3)
0.0
0
1 2 3 4 5
VCE (V)
Tamb = 25 °C
Fig 6. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
1.1
VBEsat
(V)
0.9
0.7
(1)
(2)
006aaa477
0.5
(3)
0.3
0.2
101
1
10
102
103
104
IC (mA)
0.1
101
1
10
102
103
104
IC (mA)
VCE = 5 V
(1) Tamb = 55 °C
(2) Tamb = 25 °C
(3) Tamb = 100 °C
Fig 7. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
IC/IB = 20
(1) Tamb = 55 °C
(2) Tamb = 25 °C
(3) Tamb = 100 °C
Fig 8. Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
PBSS5160DS_3
Product data sheet
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