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PBSS5160T 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 PBSS5160T은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 PBSS5160T 자료 제공

부품번호 PBSS5160T 기능
기능 60V 1A PNP low VCEsat (BISS) transistor
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


PBSS5160T 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 10 페이지수

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PBSS5160T 데이터시트, 핀배열, 회로
DISCRETE SEMICONDUCTORS
www.DataSheet4U.com
DATA SHEET
book, halfpage
M3D088
PBSS5160T
60 V, 1 A
PNP low VCEsat (BISS) transistor
Product specification
Supersedes data of 2003 Jun 23
2004 May 27




PBSS5160T pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
60 V, 1 A
PNP low VCEsat (BISS) transistor
wwwPr.DodautacSthsepeetc4Uifi.ccaotmion
PBSS5160T
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth(j-a)
thermal resistance from junction to
ambient
CONDITIONS
in free air; note 1
in free air; note 2
in free air; notes 1 and 3
VALUE
465
312
100
UNIT
K/W
K/W
K/W
Notes
1. Device mounted on an FR4 printed-circuit board, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
2. Device mounted on an FR4 printed-circuit board, single-sided copper, tin-plated and 1 cm2 collector mounting pad.
3. Operated under pulsed conditions: duty cycle δ ≤ 20 %, pulse width tp 10 ms.
103
handbook, full pagewidth
Zth
(K/W)
102
δ=1
0.75
0.5
0.33
0.2
0.1
0.05
10 0.02
0.01
MLE127
0
1
105
104
103
102
101
1
10 102 103
tp (s)
Mounted on printed-circuit board; standard footprint.
Fig.3 Transient thermal impedance as a function of pulse time; typical values.
2004 May 27
4

4페이지










PBSS5160T 전자부품, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
60 V, 1 A
PNP low VCEsat (BISS) transistor
handbook,h2alfpage
IC
(A)
1.6
1.2
0.8
0.4
(6) (5) (4) (3) (2) (1)
MLE125
(7)
(8)
(9)
(10)
0
0 1 2 3
Tamb = 25 °C.
(1) IB = 40 mA.
(2) IB = 36 mA.
(3) IB = 32 mA.
(4) IB = 28 mA.
(5) IB = 24 mA.
(6) IB = 20 mA.
(7) IB = 16 mA.
(8) IB = 12 mA.
4 5
VCE (V)
(9) IB = 8 mA.
(10) IB = 4 mA.
Fig.10 Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values.
wwwPr.DodautacSthsepeetc4Uifi.ccaotmion
PBSS5160T
handbook1, 0ha3lfpage
RCEsat
()
102
MLE121
10
1
101
101
1
(1)
(2)
(3)
10
102
103
104
IC (mA)
IC/IB = 20.
(1) Tamb = 100 °C. (2) Tamb = 25 °C.
(3) Tamb = 55 °C.
Fig.11 Equivalent on-resistance as a function of
collector current; typical values.
2004 May 27
7

7페이지


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