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CQD-4N 데이터시트 PDF




Central Semiconductor에서 제조한 전자 부품 CQD-4N은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 CQD-4N 자료 제공

부품번호 CQD-4N 기능
기능 4.0 AMP TRIAC 600 THRU 800 VOLTS
제조업체 Central Semiconductor
로고 Central Semiconductor 로고


CQD-4N 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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CQD-4N 데이터시트, 핀배열, 회로
CQD-4M
CQD-4N
4.0 AMP TRIAC
600 THRU 800 VOLTS
CentralTM
www.DataSheet4U.com
Semiconductor Corp.
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CQD-4M
series type is an Epoxy Molded Silicon Triac
designed for full wave AC control applications
featuring gate triggering in all four (4) quadrants.
MARKING CODE: FULL PART NUMBER
DPAK THYRISTOR CASE
MAXIMUM RATINGS: (TC=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
Peak Repetitive Off-State Voltage
RMS On-State Current (TC=80°C)
Peak One Cycle Surge (t=10ms)
I2t Value for Fusing (t=10ms)
Peak Gate Power (tp=10µs)
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current (tp=10µs)
Storage Temperature
Junction Temperature
VDRM
IT(RMS)
ITSM
I2t
PGM
PG (AV)
IGM
Tstg
TJ
CQD
-4M
CQD
-4N
600 800
4.0
40
2.4
3.0
0.2
1.2
-40 to +150
-40 to +125
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TC=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
IDRM
IDRM
IGT
IGT
IH
VGT
VTM
dv/dt
Rated VDRM, RGK=1K
Rated VDRM, RGK=1KΩ, TC=125°C
VD=12V, QUAD I, II, III
VD=12V, QUAD IV
RGK=1K
VD=12V, QUAD I, II, III, IV
ITM=6.0A, tp=380µs
VD=2/3 VDRM, TC=125°C
11
TYP
2.5
5.4
1.6
0.95
1.25
MAX
10
200
5.0
9.0
5.0
1.75
1.75
UNITS
V
A
A
A2s
W
W
A
°C
°C
UNITS
µA
µA
mA
mA
mA
V
V
V/µs
R0 (20-May 2004)





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