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HAT2267H 데이터시트 PDF




Renesas Technology에서 제조한 전자 부품 HAT2267H은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 HAT2267H 자료 제공

부품번호 HAT2267H 기능
기능 Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
제조업체 Renesas Technology
로고 Renesas Technology 로고


HAT2267H 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 8 페이지수

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HAT2267H 데이터시트, 핀배열, 회로
HAT2267H
Silicon N Channel Power MOS FET
Power Switch
Features
High speed switching
Capable of 6 V gate drive
Low drive current
High density mounting
Low on-resistance
RDS(on) = 13 mtyp. (at VGS = 10 V)
Lead Free
Outline
RENESAS Package code: PTZZ0005DA-A)
(Package name: LFPAK )
5
1 234
4
G
5
D
SSS
123
www.DataSheet4U.com
REJ03G1463-0400
Rev.4.00
Jul 05, 2006
1, 2, 3 Source
4 Gate
5 Drain
Absolute Maximum Ratings
Item
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body-drain diode reverse drain current
Avalanche current
Avalanche energy
Channel dissipation
Channel to Case Thermal Resistance
Channel temperature
Storage temperature
Notes: 1. PW 10 µs, duty cycle 1%
2. Value at Tch = 25°C, Rg 50
3. Tc = 25°C
Symbol
VDSS
VGSS
ID
ID(pulse)Note1
IDR
IAP Note 2
EAR Note 2
Pch Note3
θch-C
Tch
Tstg
Ratings
80
±20
25
100
25
15
30
25
5
150
–55 to +150
(Ta = 25°C)
Unit
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°C/W
°C
°C
Rev.4.00 Jul 05, 2006 page 1 of 7




HAT2267H pdf, 반도체, 판매, 대치품
HAT2267H
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
50
Pulse Test
40
30 ID = 2 A, 5 A, 10 A
VGS = 6 V
20
2 A, 5 A, 10 A
10
VGS = 10 V
0
–25 0 25 50 75 100 125 150
Case Temperature Tc (°C)
Body-Drain Diode Reverse
Recovery Time
100
50
20
10
0.1 0.3
1
di/dt = 100 A/µs
VGS = 0, Ta = 25°C
3 10 30 100
Reverse Drain Current IDR (A)
Dynamic Input Characteristics
100
ID = 25 A
80 VDD = 40 V
25 V
10 V
60
VGS
VDS
40
20
16
12
8
20 VDD = 40 V
25 V
4
10 V
0
0
0 20 40 60 80 100
Gate Charge Qg (nc)
www.DataSheet4U.com
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
100
30 Tc = –25°C
75°C
10 25°C
3
1
0.3 VDS = 10 V
0.1 Pulse Test
0.1 0.3 1 3 10 30 100
Drain Current ID (A)
10000
3000
1000
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
Ciss
300 Coss
100 Crss
30 VGS = 0
f = 1 MHz
10
0 10 20 30 40 50
Drain to Source Voltage VDS (V)
1000
300
Switching Characteristics
VGS = 10 V, VDS = 30 V
RG = 4.7 , duty 1 %
100
30
10 td(on)
3
td(off)
tr
tf
1
0.1 0.3 1 3 10 30
Drain Current ID (A)
100
Rev.4.00 Jul 05, 2006 page 4 of 7

4페이지










HAT2267H 전자부품, 판매, 대치품
HAT2267H
Package Dimensions
Package Name
LFPAK
JEITA Package Code
SC-100
RENESAS Code
PTZZ0005DA-A
Previous Code
LFPAKV
MASS[Typ.]
0.080g
www.DataSheet4U.com
Unit: mm
4.9
5.3 Max
4.0 ± 0.2
5
0.25 +0.05
–0.03
3.3
1
1.27
4
0.20 +0.05
–0.03
0° – 8°
0.75 Max
0.10
0.40 ± 0.06 0.25 M
(Ni/Pd/Au plating)
Ordering Information
Part Name
Quantity
Shipping Container
HAT2267H-EL-E
2500 pcs
Taping
Note: For some grades, production may be terminated. Please contact the Renesas sales office to check the state of
production before ordering the product.
Rev.4.00 Jul 05, 2006 page 7 of 7

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