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PMWD19UN 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 PMWD19UN은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 PMWD19UN 자료 제공

부품번호 PMWD19UN 기능
기능 Dual uTrenchMOS ultra low level FET
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


PMWD19UN 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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PMWD19UN 데이터시트, 핀배열, 회로
PMWD19UN
www.DataSheet4U.com
Dual µTrenchMOS™ ultra low level FET
M3D647
Rev. 01 — 20 December 2002
Product data
1. Product profile
1.1 Description
Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS™ technology.
Product availability:
PMWD19UN in SOT530-1 (TSSOP8).
1.2 Features
s Surface mounting package
s Very low threshold
s Low profile
s Fast switching.
1.3 Applications
s Portable appliances
s Battery management
s PCMCIA cards
s Load switching.
1.4 Quick reference data
s VDS 30 V
s Ptot 2.3 W
s ID 5.6 A
s RDSon 23 m.
2. Pinning information
Table 1:
Pin
1
2,3
4
5
6,7
8
Pinning - SOT530-1, simplified outline and symbol
Description
Simplified outline
drain1 (d1)
source1 (s1)
85
gate1 (g1)
gate2 (g2)
source2 (s2)
drain2 (d2)
1
Top view
4
MBK885
SOT530-1
Symbol
d1 d2
s1 g1 s2 g2
MSD901




PMWD19UN pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
PMWD19UN
Dual µTrenchMOSwwuwl.tDraataloShweelet4vUe.lcoFmET
4. Thermal characteristics
Table 3: Thermal characteristics
Symbol Parameter
Rth(j-sp) thermal resistance from junction to solder point
Rth(j-a) thermal resistance from junction to ambient
Conditions
Figure 4
minimum footprint;
mounted on printed-circuit board
4.1 Transient thermal impedance
Min Typ Max
- 55 70
- 100 -
Unit
K/W
K/W
102
Zth(j-sp)
(K/W) δ = 0.5
0.2
10
0.1
0.05
0.02
1
single pulse
10-1
10-4
10-3
10-2
10-1
1
003aaa275
P
δ=
tp
T
tp
T
t
10
tp (s)
102
Fig 4. Transient thermal impedance from junction to solder point as a function of pulse duration.
9397 750 10833
Product data
Rev. 01 — 20 December 2002
© Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
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PMWD19UN 전자부품, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
PMWD19UN
Dual µTrenchMOSwwuwl.tDraataloShweelet4vUe.cl oFmET
1
VGS(th)
(V)
0.8
0.6
0.4
0.2
03aj65
typ
min
10-3
ID
(A)
10-4
10-5
03aj64
min typ
0
-60 0 60 120 Tj (°C) 180
10-6
0
0.2 0.4 0.6 0.8 VGS (V)1
ID = 1 mA; VDS = VGS
Fig 9. Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
Tj = 25 °C; VDS = 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
104
C
(pF)
103
102
003aaa279
Ciss
Coss
Crss
4 003aaa280
IS
(A)
3
150 °C
2
Tj = 25 °C
1
10
10-1
1
10 VDS (V) 102
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
VSD (V)
VGS = 0 V; f = 1 MHz
Fig 11. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values.
Tj = 25 °C and 150 °C; VGS = 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
9397 750 10833
Product data
Rev. 01 — 20 December 2002
© Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
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