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RTR030N05 데이터시트 PDF




ROHM Semiconductor에서 제조한 전자 부품 RTR030N05은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 RTR030N05 자료 제공

부품번호 RTR030N05 기능
기능 2.5V Drive Nch MOSFET
제조업체 ROHM Semiconductor
로고 ROHM Semiconductor 로고


RTR030N05 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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RTR030N05 데이터시트, 핀배열, 회로
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2.5V Drive Nch MOSFET
RTR030N05
zStructure
Silicon N-channel MOSFET
zFeatures
1) Low On-resistance.
2) Built-in G-S Protection Diode.
3) Small Surface Mount Package (TSMT3).
zApplication
Switching
zDimensions (Unit : mm)
TSMT3
2.9
0.4
(3)
1.0MAX
0.85
0.7
(1) Gate
(2) Source
(3) Drain
(1) (2)
0.95 0.95
1.9
0~0.1
0.16
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : PV
zInner circuit
(3)
zPackaging specifications
Package
Type
Code
Basic ordering unit (pieces)
RTR030N05
Taping
TL
3000
2
(1)
1
(2)
1 ESD PROTECTION DIODE
2 BODY DIODE
(1) Gate
(2) Source
(3) Drain
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Continuous
Pulsed
Source current
(Body diode)
Continuous
Pulsed
Total power dissipation
Channel temperature
Range of Storage temperature
1 Pw10µs, Duty cycle1%
2 When mounted on a ceramic board
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDP 1
IS
ISP 1
PD 2
Tch
Tstg
Limits
45
±12
±3
±12
0.8
12
1.0
150
55 to +150
zThermal resistance
Parameter
Channel to ambient
When mounted on a ceramic board
Symbol
Rth (ch-a)
Limits
125
Unit
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
Unit
°C / W
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/4
2009.04 - Rev.A




RTR030N05 pdf, 반도체, 판매, 대치품
RTR030N05
200 Ta=25°C
Pulsed
150
ID= 1.5A
100 ID= 3.0A
50
0
0 2 4 6 8 10
GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS[V]
Fig.10 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Gate Source Voltage
10000
1000
td(off)
tf
100
Ta=25°C
VDD= 25V
VGS=4.5V
RG=10
Pulsed
10
1
0.01
td(on)
tr
0.1 1
DRAIN-CURRENT : ID[A]
Fig.11 Switching Characteristics
10
Data Sheet
5 www.DataSheet4U.com
4
3
2
Ta=25°C
1
VDD= 25V
ID= 3.0A
RG=10
0 Pulsed
0 12 34 56 7
TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC]
Fig.12 Dynamic Input Characteristics
10000
Ta=25°C
f=1MHz
VGS=0V
1000
Ciss
100
Crss
Coss
10
0.01 0.1 1 10 100
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS[V]
Fig.13 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
zMeasurement circuits
VGS
RG
ID
D.U.T.
VDS
RL
VDD
Fig.1-1 Switching Time Measurement Circuit
Pulse Width
50%
VGS 10%
VDS 10%
90%
50%
10%
td(on)
90%
tr
ton
td(off)
90%
tr
toff
Fig.1-2 Switching Time Waveforms
VGS
IG (Const.)
RG
ID
D.U.T.
VDS
RL
VDD
Fig.2-1 Gate Charge Measurement Circuit
VG
VGS
Qgs
Qg
Qgd
Charge
Fig.2-2 Gate Charge Waveform
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