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H55S1G62MFP-60 데이터시트 PDF




Hynix Semiconductor에서 제조한 전자 부품 H55S1G62MFP-60은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 H55S1G62MFP-60 자료 제공

부품번호 H55S1G62MFP-60 기능
기능 1Gb (64Mx16bit) Mobile SDRAM
제조업체 Hynix Semiconductor
로고 Hynix Semiconductor 로고


H55S1G62MFP-60 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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H55S1G62MFP-60 데이터시트, 핀배열, 회로
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1GBit MOBILE SDR SDRAMs based on 16M x 4Bank x16I/O
Specification of
1Gb (64Mx16bit) Mobile SDRAM
Memory Cell Array
- Organized as 4banks of 16,777,216 x16
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for
use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev 1.2 / Jul. 2008
1




H55S1G62MFP-60 pdf, 반도체, 판매, 대치품
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1Gbit (64Mx16bit) Mobile SDR Memory
H55S1G62MFP Series
INFORMATION for Hynix KNOWN GOOD DIE
With the advent of Mullti-Chip package (MCPs), Package on Package (PoP) and system in a package (SiP) applications,
customer demand for Known Good Die (KGD) has increased.
Requirements for smaller form factors and higher memory densities are fueling the need for Wafer-level memory solu-
tions due to their superior flexibility. Hynix Known Good Die (KGD) products can be used in packaging technologies
such as systems-in-a-package (SIPs) and multi-chip packages (MCPs) to reduce the board area required, making them
ideal for handheld PCs, and many other portable digital applications.
Hynix Mobile DRAM will be able to containue its constant effort of enabling the Advanced package products of all appli-
cation customers.
- Please Contact Hynix Office for Hynix KGD product availability and informations.
Rev 1.2 / Jul. 2008
4

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H55S1G62MFP-60 전자부품, 판매, 대치품
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1Gbit (64Mx16bit) Mobile SDR Memory
H55S1G62MFP Series
BALL DESCRIPTION
SYMBOL
CLK
CKE
CS
BA0, BA1
A0 ~ A13
RAS, CAS, WE
UDQM, LDQM
DQ0 ~ DQ15
VDD/VSS
VDDQ/VSSQ
NC
TYPE
DESCRIPTION
INPUT
Clock : The system clock input. All other inputs are registered to the SDRAM on the
rising edge of CLK
INPUT
Clock Enable : Controls internal clock signal and when deactivated, the SDRAM will
be one of the states among (deep) power down, suspend or self refresh
INPUT Chip Select : Enables or disables all inputs except CLK, CKE, UDQM and LDQM
INPUT
Bank Address : Selects bank to be activated during RAS activity
Selects bank to be read/written during CAS activity
INPUT
Row Address : RA0 ~ RA13, Column Address : CA0 ~ CA9
Auto-precharge flag : A10
INPUT
Command Inputs : RAS, CAS and WE define the operation
Refer function truth table for details
INPUT
Data Mask : Controls output buffers in read mode and masks input data in write
mode
I/O Data Input/Output : Multiplexed data input/output pin
SUPPLY Power supply for internal circuits
SUPPLY Power supply for output buffers
- No connection
Rev 1.2 / Jul. 2008
7

7페이지


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