|
|
|
부품번호 | MMBD217SEW 기능 |
|
|
기능 | SILICON EPITAXIAL PLANAR SWITCHING DIODE | ||
제조업체 | SEMTECH ELECTRONICS | ||
로고 | |||
MMBD217SEW
SILICON EPITAXIAL PLANAR SWITCHING DIODE
Applications
• Ultra high speed switching
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC)
Parameter
www.DatRaeShpeeetitt4iUve.coPmeak Reverse Voltage
Reverse Voltage
Average Rectified Forward Current (Single)
Maximum (Peak) Forward Current (Single)
Peak Forward Surge Current (tp = 1 µs)
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
3
12
Marking Code: A7
Symbol
VRM
VR
IO
IFM
IFSM
Pd
TJ
Ts
Value
80
80
100
300
4
200
150
- 55 to + 150
Unit
V
V
mA
mA
A
mW
OC
OC
Characteristics at Ta = 25 OC
Parameter
Forward Voltage
at IF = 100 mA
Reverse Current
at VR = 70 V
Capacitance between Terminals
at VR = 6, f = 1 MHz
Reverse Recovery Time
at IF = 5 mA, VR = 6 V, RL = 50 Ω
Symbol
VF
IR
CT
trr
Max.
1.2
0.1
3.5
4
Unit
V
µA
pF
ns
SEMTECH ELECTRONICS LTD.
(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company
listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)
®
Dated : 10/10/2008
| |||
구 성 | 총 2 페이지수 | ||
다운로드 | [ MMBD217SEW.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
MMBD217SEW | SILICON EPITAXIAL PLANAR SWITCHING DIODE | SEMTECH ELECTRONICS |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |