Datasheet.kr   

SEMIX302GB176HDS 데이터시트 PDF




Semikron International에서 제조한 전자 부품 SEMIX302GB176HDS은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 SEMIX302GB176HDS 자료 제공

부품번호 SEMIX302GB176HDS 기능
기능 Trench IGBT Modules
제조업체 Semikron International
로고 Semikron International 로고


SEMIX302GB176HDS 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 5 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

SEMIX302GB176HDS 데이터시트, 핀배열, 회로
SEMiX302GB176HDs
SEMiX®2s
Trench IGBT Modules
SEMiX302GB176HDs
wwPwr.eDlaimtainShaereytD4Ua.ctaom
Features
• Homogeneous Si
• Trench = Trenchgate technology
• VCE(sat) with positive temperature
coefficient
• UL recognised file no. E63532
Typical Applications
• AC inverter drives
• UPS
• Electronic welders
Absolute Maximum Ratings
Symbol Conditions
IGBT
VCES
IC
ICnom
ICRM
VGES
tpsc
Tj
Tj = 150 °C
ICRM = 2xICnom
VCC = 1000 V
VGE 20 V
Tj = 125 °C
VCES 1700 V
Tc = 25 °C
Tc = 80 °C
Inverse diode
IF
Tj = 150 °C
Tc = 25 °C
Tc = 80 °C
IFnom
IFRM
IFRM = 2xIFnom
IFSM tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C
Tj
Module
It(RMS)
Tstg
Visol
AC sinus 50Hz, t = 1 min
Characteristics
Symbol Conditions
IGBT
VCE(sat)
VCE0
rCE
VGE(th)
ICES
Cies
Coes
Cres
QG
RGint
td(on)
tr
Eon
td(off)
tf
Eoff
Rth(j-c)
Rth(j-s)
IC = 200 A
VGE = 15 V
chiplevel
Tj = 25 °C
Tj = 125 °C
Tj = 25 °C
Tj = 125 °C
VGE = 15 V
Tj = 25 °C
Tj = 125 °C
VGE=VCE, IC = 8 mA
VGE = 0 V
VCE = 1700 V
Tj = 25 °C
Tj = 125 °C
VCE = 25 V
VGE = 0 V
f = 1 MHz
f = 1 MHz
f = 1 MHz
VGE = - 8 V...+ 15 V
Tj = 25 °C
VCC = 1200 V
IC = 200 A
Tj = 125 °C
RG on = 6.5
RG off = 6.5
per IGBT
per IGBT
GB
© by SEMIKRON
Rev. 21 – 02.12.2008
Values
1700
308
219
200
400
-20 ... 20
10
-55 ... 150
389
262
200
400
2000
-40 ... 150
600
-40 ... 125
4000
Unit
V
A
A
A
A
V
µs
°C
A
A
A
A
A
°C
A
°C
V
min.
5.2
typ.
2
2.45
1
0.9
5.0
7.8
5.8
0.1
17.6
0.73
0.58
1866
3.75
225
45
130
665
105
77
max. Unit
2.45
2.9
1.2
1.1
6.3
9.0
6.4
0.3
0.1
V
V
V
V
m
m
V
mA
mA
nF
nF
nF
nC
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
K/W
K/W
1




SEMIX302GB176HDS pdf, 반도체, 판매, 대치품
SEMiX302GB176HDs
wwwF.iDga. t7aSThyepe.t4sUw.citocmhing times vs. IC
Fig. 8 Typ. switching times vs. gate resistor RG
Fig. 9 Typ. transient thermal impedance
Fig. 10 Typ. CAL diode forward charact., incl. RCC'+EE'
Fig. 11 Typ. CAL diode peak reverse recovery current
Fig. 12 Typ. CAL diode recovery charge
4
Rev. 21 – 02.12.2008
© by SEMIKRON

4페이지












구       성 총 5 페이지수
다운로드[ SEMIX302GB176HDS.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
SEMIX302GB176HD

Trench IGBT Modules

Semikron International
Semikron International
SEMIX302GB176HDS

Trench IGBT Modules

Semikron International
Semikron International

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵