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KHB7D0N65F2 데이터시트 PDF




KEC에서 제조한 전자 부품 KHB7D0N65F2은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 KHB7D0N65F2 자료 제공

부품번호 KHB7D0N65F2 기능
기능 N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
제조업체 KEC
로고 KEC 로고


KHB7D0N65F2 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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KHB7D0N65F2 데이터시트, 핀배열, 회로
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
General Description
This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast
switching time, low on resistance, low gate charge and excellent
avalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factor
correction and switching mode power supplies.
FEATURES
VDSS=650V, ID=7A
Drain-Source ON Resistance :
RDS(ON)=1.4 @VGS=10V
Qg(typ.)= 32nC
wwMwA.DXaItMaSUheMetR4UA.cToImNG (Tc=25 )
CHARACTERISTIC
RATING
SYMBOL
KHB7D0N65F1 UNIT
KHB7D0N65P1
KHB7D0N65F2
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
VDSS
VGSS
650 V
30 V
@TC=25
Drain Current @TC=100
Pulsed (Note1)
Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
Repetitive Avalanche Energy
(Note 1)
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 3)
Drain Power
Dissipation
Tc=25
Derate above 25
Maximum Junction Temperature
Storage Temperature Range
Thermal Characteristics
ID
IDP
EAS
EAR
dv/dt
PD
Tj
Tstg
7 7*
4.2 4.2*
28 28*
212
1.6
4.5
160 52
1.28 0.42
150
-55 150
A
mJ
mJ
V/ns
W
W/
Thermal Resistance, Junction-to-Case RthJC
0.78
Thermal Resistance, Case-to-Sink
RthCS
0.5
Thermal Resistance,
Junction-to-Ambient
RthJA
62.5
* : Drain current limited by maximum junction temperature.
PIN CONNECTION
2.4 /W
- /W
62.5 /W
D
G
2007. 5. 10
S
Revision No : 0
KHB7D0N65P1/F1/F2
N CHANNEL MOS FIELD
EFFECT TRANSISTOR
KHB7D0N65P1
A
E
I
K
M
D
NN
F
G
B
Q
L
J
O
C
P
H
123
1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
DIM MILLIMETERS
A 9.9 +_ 0.2
B 15.95 MAX
C 1.3+0.1/-0.05
D 0.8 +_ 0.1
E 3.6 +_ 0.2
F 2.8 +_ 0.1
G 3.7
H 0.5+0.1/-0.05
I 1.5
J 13.08 +_ 0.3
K 1.46
L 1.4 +_ 0.1
M 1.27 +_ 0.1
N 2.54 +_ 0.2
O 4.5 +_ 0.2
P 2.4 +_ 0.2
Q 9.2 +_ 0.2
TO-220AB
KHB7D0N65F1
AC
E
LM
D
NN
123
R
H
1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
DIM MILLIMETERS
A 10.16 +_ 0.2
B 15.87 +_ 0.2
C 2.54 +_ 0.2
D 0.8 +_ 0.1
E 3.18 +_ 0.1
F 3.3 +_ 0.1
G 12.57 +_ 0.2
H 0.5 +_ 0.1
J 13.0 MAX
K 3.23 +_ 0.1
L 1.47 MAX
M 1.47 MAX
N 2.54 +_ 0.2
O 6.68 +_ 0.2
Q 4.7 +_ 0.2
R 2.76 +_ 0.2
TO-220IS (1)
KHB7D0N65F2
AC
S
E
LL
M
DD
NN
123
R
H
1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
DIM MILLIMETERS
A 10.0 +_0.3
B 15.0+_ 0.3
C 2.70+_ 0.3
D 0.76+0.09/-0.05
E Φ3.2 +_0.2
F 3.0+_0.3
G 12.0 +_0.3
H 0.5+0.1/-0.05
J 13.6 +_0.5
K 3.7+_ 0.2
L 1.2+0.25/-0.1
M 1.5+0.25/-0.1
N 2.54 +_0.1
P 6.8 +_0.1
Q 4.5+_ 0.2
R 2.6+_ 0.2
S 0.5 Typ
TO-220IS
1/7




KHB7D0N65F2 pdf, 반도체, 판매, 대치품
KHB7D0N65P1/F1/F2
Fig7. C - VDS
4500
4000
Frequency = 1MHz
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
Ciss
Coss
Crss
www.DataSh0e1e0t-14U.com
100
101
Drain - Source Voltage VDS (V)
Fig9. Safe Operation Area
(KHB7D0N65P1)
Operation in this
101 area is limited by RDS(ON)
100
100µs
1ms
10ms
100ms
DC
10-1
Tc= 25 C
Tj = 150 C
102 Single nonrepetitive pulse
100 101
102
Drain - Source Voltage VDS (V)
103
Fig11. ID - Tj
8
6
4
2
0
25 50 75 100 125 150
Junction Temperature Tj ( C)
2007. 5. 10
Revision No : 0
Fig8. Qg- VGS
12
ID=7A
10
8
6
VDS = 520V
VDS = 325V
VDS = 130V
4
2
0
0 4 8 12 16 20 24 28 32
Gate - Charge Qg (nC)
Fig10. Safe Operation Area
(KHB7D0N65F1, KHB7D0N65F2)
Operation in this
101 area is limited by RDS(ON)
100
10 µs
100µs
1ms
10 ms
DC
10-1
Tc= 25 C
Tj = 150 C
Single nonrepetitive pulse
10-2100
101
102
Drain - Source Voltage VDS (V)
103
4/7

4페이지










KHB7D0N65F2 전자부품, 판매, 대치품
KHB7D0N65P1/F1/F2
Fig17. Source - Drain Diode Reverse Recovery and dv /dt
IF
0.8 VDSS
www.DataSheet4U.com
10V
DUT
driver
VGS
VDS
ISD
(DUT)
IS
Body Diode Forword Current
di/dt
IRM
Body Diode Reverse Current
VDS
(DUT)
Body Diode Recovery dv/dt
VSD
VDD
Body Diode Forword Voltage drop
2007. 5. 10
Revision No : 0
7/7

7페이지


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