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FQD6N60C 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FQD6N60C은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FQD6N60C 자료 제공

부품번호 FQD6N60C 기능
기능 600V N-Channel MOSFET
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FQD6N60C 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FQD6N60C 데이터시트, 핀배열, 회로
FQD6N60C
600V N-Channel MOSFET
Features
• 4 A, 600 V, RDS(on) = 2.0 @ VGS = 10 V
• Low gate charge ( typical 16 nC )
• Low Crss ( typical 7 pF)
• Fast switching
• 100 % avalanche tested
www.DataSIhmeperot4vUed.cdovm/dt capability
QFET ®
Description
These N-Channel enhancement mode power field effect
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar
stripe, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to
minimize on-state resistance, provide superior switching
performance, and withstand high energy pulse in the avalanche
and commutation mode. These devices are well suited for high
efficiency switched mode power supplies, active power factor
correction, electronic lamp ballasts based on half bridge
topology.
D
GS
D-PAK
FQD Series
Absolute Maximum Ratings
Symbol
VDSS
ID
IDM
VGSS
EAS
IAR
EAR
dv/dt
PD
TJ, TSTG
TL
Parameter
Drain-Source Voltage
Drain Current
Drain Current
- Continuous (TC = 25°C)
- Continuous (TC = 100°C)
- Pulsed
(Note 1)
Gate-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
Avalanche Current
(Note 1)
Repetitive Avalanche Energy
(Note 1)
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 3)
Power Dissipation (TC = 25°C)
- Derate above 25°C
Operating and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8" from case for 5 seconds
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
RθJC
Thermal Resistance, Junction-to-Case
RθJA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *
RθJA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)
G!
D
!
◀▲
!
S
FQD6N60C
600
4
2.4
16
± 30
300
4.0
8.0
4.5
80
0.78
-55 to +150
300
Typ
--
--
--
Max
1.56
50
110
Units
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/°C
°C
°C
Units
°C/W
°C/W
°C/W
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD6N60C Rev. A
1
www.fairchildsemi.com




FQD6N60C pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
1.1
1.0
0.9
www.DataSheet4U.com
0.8
-100
-50
Notes :
1.
2.
IVDG=S
=0V
250 µ
A
0 50 100
TJ, Junction Temperature [oC]
150
200
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
Notes :
1. VGS = 10 V
2. ID = 2.0 A
-50 0 50 100 150
TJ, Junction Temperature [oC]
200
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
102
101
100
10-1
100
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
10 µs
100 µs
1 ms
10 ms
DC
Notes :
1. TC = 25 oC
2. TJ = 150 oC
3. Single Pulse
101 102
VDS, Drain-Source Voltage [V]
103
4.5
3.0
1.5
0.0
25
50 75 100 125
TC, Case Temperature []
150
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
FQD6N60C Rev. A
100
D =0.5
0 .2
0 .1
1 0 -1
0 .0 5
0.02
0 .0 1
sing le pu ls e
N otes :
1 . Z θ JC( t) = 1 .5 6 /W M a x .
2. D uty F actor, D = t1/t2
3 . T JM - T C = P D M * Z θ JC( t)
1 0 -2
1 0 -5
1 0 -4
1 0 -3
1 0 -2
1 0 -1
100
t1, S q u a re W a ve P u lse D ura tion [sec]
101
4
www.fairchildsemi.com

4페이지










FQD6N60C 전자부품, 판매, 대치품
Mechanical Dimensions
D-PAK
www.DataSheet4U.com
FQD6N60C Rev. A
Dimensions in Millimeters
7 www.fairchildsemi.com

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