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DIM800DDS17-A000 데이터시트 PDF




Dynex Semiconductor에서 제조한 전자 부품 DIM800DDS17-A000은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 DIM800DDS17-A000 자료 제공

부품번호 DIM800DDS17-A000 기능
기능 Dual Switch IGBT Module
제조업체 Dynex Semiconductor
로고 Dynex Semiconductor 로고


DIM800DDS17-A000 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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DIM800DDS17-A000 데이터시트, 핀배열, 회로
FEATURES
10µs Short Circuit Withstand
Non Punch Through Silicon
Isolated Copper Baseplate
Lead Free construction
APPLICATIONS
High Power Inverters
Motor Controllers
DIM800DDS17-A000
Dual Switch IGBT Module
DS5844-1.0 June 2005 (LN23944)
KEY PARAMETERS
VCES
VCE
*
(sat)
IC
IC(PK)
(typ)
(max)
(max)
1700V
2.7V
800A
1600A
*(measured at the power busbars and not the auxiliary terminals)
The Powerline range of high power modules
includes half bridge, chopper, dual, single and bi-
directional switch configurations covering voltages
from 600V to 3300V and currents up to 2400A.
The DIM800DDS17-A000 is a dual switch 1700V, n
channel enhancement mode, insulated gate bipolar
transistor (IGBT) module. The IGBT has a wide
reverse bias safe operating area (RBSOA) plus full
10µs short circuit withstand.
The module incorporates an electrically isolated
base plate and low inductance construction enabling
circuit designers to optimise circuit layouts and
utilise grounded heat sinks for safety.
ORDERING INFORMATION
Order As:
DIM800DDS17-A000
Note: When ordering, please use the whole part number.
.
Fig. 1 Dual switch circuit diagram
Outline type code: D
(See package details for further information)
Fig. 2 Electrical connections (not to scale)
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Caution: This device is sensitive to electrostatic discharge. Users should follow ESD handling procedures.
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DIM800DDS17-A000 pdf, 반도체, 판매, 대치품
SEMICONDUCTOR
DIM800DDS17-A000
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tcase = 25° C unless stated otherwise.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min. Typ. Max. Units
Ices Collector cut-off current
VGE = OV, VCE = VCES
- - 1 mA
VGE = OV, VCE = VCES, Tcase = 125° C
-
- 25 mA
Ices Gate leakage current
VGE = ±20V, VCE = 0V
- - 4 µA
VGE(TH) Gate threshold voltage
IC = 40mA, VGE = VCE
4.5 5.5 6.5 V
V 
CE(sat)
Collector-emitter saturation voltage VGE = 15V, IC = 800A
- 2.7 3.2 V
VGE = 15V, IC = 800A, Tcase = 125° C
-
3.4 4.0 V
IF Diode forward current
DC
- - 800 A
IFM Diode maximum forward current
tp = 1ms
- - 1600 A
V 
F
Diode forward voltage
IF = 800A
- 2.2 2.5 V
IF = 800A, Tcase = 125° C
- 2.3 2.6 V
Cies Input capacitance
VCE = 25V, VGE = 0V, f = 1MHz
- 60 - nF
LM Module inductance
- - 20 - nH
RINT Internal transistor resistance
- - 0.27 - m
SCData Short circuit. Isc
Tj = 125° C,Vcc = 900V,
tp 10µs,
VCE(max) = VCES - L* × di/dt
IEC 60747-9
I1 - 3700 -
I2 - 3200 -
A
A
Note:
¡ Measured at the power busbars and not the auxiliary terminals
* L is the circuit inductance + LM
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DIM800DDS17-A000 전자부품, 판매, 대치품
SEMICONDUCTOR
DIM800DDS17-A000
Fig.7 Diode typical forward characteristics
Fig.8 Reverse bias safe operating area
Fig.9 Diode reverse bias safe operating area
Fig.10 Transient thermal impedance
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