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부품번호 | BUJ100LR 기능 |
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기능 | Silicon diffused power transistor | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
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전체 11 페이지수
BUJ100LR
Silicon diffused power transistor
Rev. 01 — 12 August 2009
www.DataSheet4U.c
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
High voltage, high speed, planar passivated NPN power switching transistor in a SOT54
(TO-92) 3 leads plastic package.
1.2 Features and benefits
Fast switching
High voltage capability of 700 V
1.3 Applications
Compact fluorescent lamps (CFL)
Electronic lighting ballasts
Inverters
Off-line self-oscillating power supplies
1.4 Quick reference data
Table 1. Quick reference
Symbol Parameter
IC collector current
Ptot total power
dissipation
VCESM collector-emitter
peak voltage
Static characteristics
hFE DC current gain
Conditions
DC; see Figure 1
Tlead ≤ 25 °C; see Figure 2
VBE = 0 V
VCE = 5 V; IC = 0.8 A;
Tlead = 25 °C;
see Figure 8 and 9
Min Typ Max Unit
- - 1A
- - 2.1 W
- - 700 V
5 7.5 20
NXP Semiconductors
5. Thermal characteristics
Table 5.
Symbol
Rth(j-lead)
Rth(j-a)
Thermal characteristics
Parameter
Conditions
thermal resistance from see Figure 3
junction to lead
thermal resistance from
junction to ambient
102
Zth(j-lead)
(K/W)
10
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Silicon diffused power transistor
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Min Typ Max Unit
- - 60 K/W
- 150 - K/W
001aab451
1
10−1
P δ = tp
T
10−2
10−5
10−4
10−3
10−2
10−1
tp
T
t
1
tp (s)
Fig 3. Transient thermal impedance from junction to lead as a function of pulse width
10
BUJ100LR_1
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© NXP B.V. 2009. All rights reserved.
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4페이지 NXP Semiconductors
IBon
VBB
VCC
LC
LB
DUT
001aab991
Fig 10. Test circuit for inductive load switching
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IC
ICon
90 %
10 %
t
tf
ts
IB toff
IBon
t
−IBoff
001aab992
Fig 11. Switching times waveforms for inductive load
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BUJ100LR | Silicon diffused power transistor | NXP Semiconductors |
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