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PHX23NQ11T 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 PHX23NQ11T은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 PHX23NQ11T 자료 제공

부품번호 PHX23NQ11T 기능
기능 N-channel TrenchMOS standard level FET
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


PHX23NQ11T 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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PHX23NQ11T 데이터시트, 핀배열, 회로
PHX23NQ11T
N-channel TrenchMOS™ standard level FET
Rev. 01 — 14 May 2004
www.DataSheet4U.com
Product data
1. Product profile
1.1 Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a fully isolated encapsulated
plastic package using TrenchMOS™ technology.
1.2 Features
s Low on-state resistance
s Isolated package.
1.3 Applications
s DC-to-DC converters
s Switched-mode power supplies.
1.4 Quick reference data
s VDS 110 V
s Ptot 41.6 W
s ID 16 A
s RDSon 70 m.
2. Pinning information
Table 1: Pinning - SOT186A (TO-220F) simplified outline and symbol
Pin Description
Simplified outline
1 gate (g)
2 drain (d)
mb
3 source (s)
mb mounting base;
isolated
Symbol
d
g
mbb076
s
1 2 3 MBK110
SOT186A (TO-220F)




PHX23NQ11T pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
PHX23NQ11T
www.DataSheet4U.com
N-channel TrenchMOS™ standard level FET
5. Thermal characteristics
Table 4: Thermal characteristics
Symbol Parameter
Rth(j-h) thermal resistance from junction to heatsink
[1] External heatsink, connected to mounting base.
Conditions
Figure 4
5.1 Transient thermal impedance
Min Typ Max Unit
[1] - - 3 K/W
10
Zth(j-h)
(K/W)
δ = 0.5
1
0.2
0.1
10-1
0.05
0.02
10-2
10-5
single pulse
10-4
10-3
10-2
10-1
03ao48
P
δ
=
tp
T
tp
T
1
tp (s)
t
10
Fig 4. Transient thermal impedance from junction to heatsink as a function of pulse duration.
9397 750 13177
Product data
Rev. 01 — 14 May 2004
© Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
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PHX23NQ11T 전자부품, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
PHX23NQ11T
www.DataSheet4U.com
N-channel TrenchMOS™ standard level FET
5
VGS(th)
(V)
4
3
03aa32
max
typ
10-1
ID
(A)
10-2
10-3
03aa35
min typ max
2 min
10-4
1 10-5
0
-60 0 60 120 180
Tj (°C)
10-6
0246
VGS (V)
ID = 1 mA; VDS = VGS
Fig 9. Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
Tj = 25 °C; VDS = 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
104
C
(pF)
103
03ao56
Ciss
Coss
102
10
10-1
1
Crss
10 102
VDS (V)
VGS = 0 V; f = 1 MHz
Fig 11. Input, output and reverse transfer capacitances as a function of drain-source voltage; typical values.
9397 750 13177
Product data
Rev. 01 — 14 May 2004
© Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
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