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BPT1819E03 데이터시트 PDF




BIPOLARICS에서 제조한 전자 부품 BPT1819E03은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BPT1819E03 자료 제공

부품번호 BPT1819E03 기능
기능 High Performance Silicon Bipolar Transistor Intended
제조업체 BIPOLARICS
로고 BIPOLARICS 로고


BPT1819E03 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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BPT1819E03 데이터시트, 핀배열, 회로
BIPOLARICS, INC.
www.DataSheet4U.com
Part Number BPT1819E03
NPN SILICON MICROWAVE POWER TRANSISTORS
PRODUCT DATA SHEET
FEATURES:
High Output Power
3 W @ 1.8 GHz
High Gain Bandwidth Product
ft = 6.0 GHz typ @ IC = 480 mA
High Gain
DESCRIPTION AND APPLICATIONS:
Bipolarics' BPT1819E03 is a high performance silicon bipolar transistor
intended for linear power applications at frequencies of 1.8 to 1.9 GHz.
Typical applications include amplifiers in aeronautical, maritime and
personal communication applications. The BPT1819E03 is bonded
common emitter for linear applications. Linear output power of 3
Watts can be achieved. BeO flange packaging makes this device
excellent for industrial and military products. Uniformity and reliability
are assured by the use of ion implanted junctions, ion implanted ballast
resistors and gold metallization.
GPE = 10.0 dB @ 1.8 GHz
Gold Metallization System
Absolute Maximum Ratings:
High thermal efficiency BeO 6 Lead
Flange package (package 36)
PERFORMANCE DATA:
Electrical Characteristics (TA = 25oC)
SYMBOL
VCES
VCEO
VEBO
IC
TJ
TSTG
PARAMETERS
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Junction Temperature
Storage Temperature
θJC Thermal Resistance
RATING
40
20
3.0
960
200
-65 to 200
UNITS
V
V
V
mA
oC
oC
11 C/W
SYMBOL
PARAMETERS & CONDITIONS
VCE = 15V, IC = 480 mA, Class A,Common Emitter unless stated
UNIT
MIN.
TYP.
MAX.
BVCEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
IC = 0.1 mA
V
20
P1dB
GPE
η
hFE
CCB
PT
Output Power at 1dB compression
Class A POUT = 4 W
Efficiency:
Forward Current Transfer Ratio:
VCE = 8.0V, IC = 400 mA
Collector Base Capacitance:
Total Power Dissipation
f = 1.8 GHz
f = 1.8 GHz
Class A
Class C
f = 1.0 MHz
f = 1.0 MHz
IE = 0
W
dB
%
pF
W
3.0
10.0
30
65
20 60
100
8.0
12





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