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부품번호 | TBN4227 기능 |
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기능 | Si NPN Transistor | ||
제조업체 | AUK | ||
로고 | |||
Semiconductor
www.DataSheet4U.com
TBN4227 Series
Si NPN Transistor
□ Applications
- VHF and UHF low noise amplifier
- Wide band amplifier
□ Features
- High gain bandwidth product
fT = 8 GHz at VCE = 3 V, IC = 7 mA
fT = 9 GHz at VCE = 3 V, IC = 20 mA
- High power gain
|S21|2 = 11.4 dB at VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz
- Low noise figure
NF = 1.2 dB at VCE = 3 V, IC = 3 mA, f = 1 GHz
□ Absolute Maximum Ratings (TA = 25 ℃)
Param eter
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Sym bol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
IC
Ptot
Tj
Tstg
Caution : Electro Static Discharge sensitive device
SOT-323
Unit in mm
2.1±0.1
1.25±0.05
1
3
2
0.1 Min.
Pin Configuration
1. Base
2. Emitter
3. Collector
Ratings
20
8
3
65
150
150
-65 ~ 150
Unit
V
V
V
mA
mW
℃
℃
1
Collector Current
vs. Collector to Emitter Voltage
25
20
120 µA
15 100 µA
80 µA
10 60 µA
40 µA
5
IB = 20 µA
0
012345
Collector to Emitter Voltage, VCE (V)
30
25
20
15
10
5
0
0.1
Insertion Power Gain
vs. Frequency
VCE = 3 V
IC = 7 mA
1
Frequency (GHz)
10
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TBN4227 Series
Gain Bandwidth Product
vs. Collector Current
14
12
VCE = 3 V
f = 1 GHz
10
8
6
4
2
0
1 10
Collector Current, I (mA)
C
50
Insertion Power Gain
vs. Collector Current
16
14 VCE = 3 V
f = 1 GHz
12
10
8
6
4
2
0
1 10
Collector Current, IC (mA)
50
4
4페이지 | |||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
TBN4226 | Si NPN Transistor | AUK |
TBN4227 | Si NPN Transistor | AUK |
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