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PBHV9115T 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 PBHV9115T은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 PBHV9115T 자료 제공

부품번호 PBHV9115T 기능
기능 1 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


PBHV9115T 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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PBHV9115T 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
PBHV9115T
150 V, 1 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor
Rev. 02 — 9 January 2009
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
PNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a
SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PBHV8115T.
1.2 Features
I High voltage
I Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
I High collector current capability IC and ICM
I High collector current gain (hFE) at high IC
I AEC-Q101 qualified
1.3 Applications
I LED driver for LED chain module
I LCD backlighting
I High Intensity Discharge (HID) front lighting
I Automotive motor management
I Hook switch for wired telecom
I Switch mode power supply
1.4 Quick reference data
Table 1.
Symbol
VCEO
IC
hFE
Quick reference data
Parameter
collector-emitter voltage
collector current
DC current gain
Conditions
open base
VCE = 10 V;
IC = 50 mA
Min Typ Max Unit
- - 150 V
- - 1 A
100 220 -




PBHV9115T pdf, 반도체, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
www.DataSheet4U.com
PBHV9115T
150 V, 1 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor
6. Thermal characteristics
Table 6.
Symbol
Rth(j-a)
Rth(j-sp)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from
junction to ambient
thermal resistance from
junction to solder point
Conditions
in free air
Min Typ Max Unit
[1] - - 417 K/W
- - 70 K/W
[1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
103
Zth(j-a)
(K/W)
102
duty cycle = 1
0.75
0.33
0.5
0.2
0.1
0.05
10 0.02
0.01
10
006aab151
101
105
104
103
102
101
1
10 102 103
tp (s)
FR4 PCB, standard footprint
Fig 2. Transient thermal impedance from junction to ambient as a function of pulse duration; typical values
PBHV9115T_2
Product data sheet
Rev. 02 — 9 January 2009
© NXP B.V. 2009. All rights reserved.
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PBHV9115T 전자부품, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
10
VCEsat
(V)
1
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PBHV9115T
150 V, 1 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor
006aab170
10
VCEsat
(V)
1
006aab171
101
(1)
(2)
(3)
102
101
1
10
102
103
104
IC (mA)
IC/IB = 5
(1) Tamb = 100 °C
(2) Tamb = 25 °C
(3) Tamb = 55 °C
Fig 7. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
103
RCEsat
()
102
006aab172
101
(1)
(2)
(3)
102
101
1
10
102
103
104
IC (mA)
Tamb = 25 °C
(1) IC/IB = 20
(2) IC/IB = 10
(3) IC/IB = 5
Fig 8. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
103
RCEsat
()
102
006aab173
10
(1)
1 (2)
(3)
10
(1) (2) (3)
1
101
101
1
10
102
103
104
IC (mA)
IC/IB = 5
(1) Tamb = 100 °C
(2) Tamb = 25 °C
(3) Tamb = 55 °C
Fig 9. Collector-emitter saturation resistance as a
function of collector current; typical values
101
101
1
10
102
103
104
IC (mA)
Tamb = 25 °C
(1) IC/IB = 20
(2) IC/IB = 10
(3) IC/IB = 5
Fig 10. Collector-emitter saturation resistance as a
function of collector current; typical values
PBHV9115T_2
Product data sheet
Rev. 02 — 9 January 2009
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