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EID1112A1-8 데이터시트 PDF




Excelics Semiconductor에서 제조한 전자 부품 EID1112A1-8은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 EID1112A1-8 자료 제공

부품번호 EID1112A1-8 기능
기능 11.70-12.70 GHz 8-Watt Internally Matched Power FET
제조업체 Excelics Semiconductor
로고 Excelics Semiconductor 로고


EID1112A1-8 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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EID1112A1-8 데이터시트, 핀배열, 회로
UPDATED 07/12/2007
www.DataSheet4U.com
EID1112A1-8
11.70-12.70 GHz 8-Watt Internally Matched Power FET
FEATURES
11.70-12.70 GHz Bandwidth
Input/Output Impedance Matched to 50 Ohms
+39.5 dBm Output Power at 1dB Compression
8.0 dB Power Gain at 1dB Compression
35% Power Added Efficiency
Hermetic Metal Flange Package
100% Tested for DC, RF, and RTH
.827±.010 .669
Excelics
EID1112A1-8
.120 MIN YYWW
SN
.024
.421
.120 MIN
.168±.010
.125
.508±.008
.442
ALL DIMENSIONS IN INCHES
.004
.063
.004
.105±.008
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C)
Caution! ESD sensitive device.
SYMBOL
P1dB
G1dB
G
PAE
Id1dB
IDSS
VP
RTH
PARAMETERS/TEST CONDITIONS1
Output Power at 1dB Compression f = 11.70-12.70GHz
VDS = 10 V, IDSQ 2200mA
Gain at 1dB Compression
f = 11.70-12.70GHz
VDS = 10 V, IDSQ 2200mA
Gain Flatness
f = 11.70-12.70GHz
VDS = 10 V, IDSQ 2200mA
Power Added Efficiency at 1dB Compression
VDS = 10 V, IDSQ 2200mA
f = 11.70-12.70GHz
Drain Current at 1dB Compression f = 11.70-12.70GHz
Saturated Drain Current
Pinch-off Voltage
Thermal Resistance3
VDS = 3 V, VGS = 0 V
VDS = 3 V, IDS = 40 mA
MIN
38.5
7.0
Notes: 1. Tested with 100 Ohm gate resistor.
2. Overall Rth depends on case mounting.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS FOR CONTINUOUS OPERATION1,2
SYMBOL
CHARACTERISTIC
VALUE
VDS Drain to Source Voltage
10 V
VGS Gate to Source Voltage
-3.0 V
IDS Drain Current
IDSS
IGSF Forward Gate Current
80 mA
PIN Input Power
@ 3dB compression
PT Total Power Dissipation
32 W
TCH Channel Temperature
150°C
TSTG
Storage Temperature
-65/+150°C
Note: 1. Exceeding any of the above ratings may result in permanent damage.
2. Exceeding any of the above ratings may reduce MTTF below design goals.
TYP
39.5
8.0
35
2800
4400
-1.2
3.5
MAX
±0.6
3200
5200
-2.5
4.0
UNITS
dBm
dB
dB
%
mA
mA
V
oC/W
Specifications are subject to change without notice.
Excelics Semiconductor, Inc. 310 De Guigne Drive, Sunnyvale, CA 94085
Phone: 408-737-1711 Fax: 408-737-1868 Web: www.excelics.com
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Revised July 2007





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