Datasheet.kr   

EID1314A1-12 데이터시트 PDF




Excelics Semiconductor에서 제조한 전자 부품 EID1314A1-12은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 EID1314A1-12 자료 제공

부품번호 EID1314A1-12 기능
기능 13.75-14.50 GHz 12-Watt Internally Matched Power FET
제조업체 Excelics Semiconductor
로고 Excelics Semiconductor 로고


EID1314A1-12 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 2 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

EID1314A1-12 데이터시트, 핀배열, 회로
UPDATED: 07/12/2007
www.DataSheet4U.com
EID1314A1-12
13.75–14.50 GHz 12-Watt Internally Matched Power FET
FEATURES
13.75-14.50 GHz Bandwidth
Input/Output Impedance Matched to 50 Ohms
+41.0 dBm Output Power at 1dB Compression
6.0 dB Power Gain at 1dB Compression
23% Power Added Efficiency
Hermetic Metal Flange Package
100% Tested for DC, RF, and RTH
.827±.010 .669
Excelics
EID1314A1-12
.120 MIN YYWW
SN
.024
.421
.120 MIN
.168±.010
.125
.508±.008
.442
ALL DIMENSIONS IN INCHES
.004
.063
.004
.105±.008
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C)
SYMBOL
P1dB
G1dB
G
PAE
Id1dB
PARAMETERS/TEST CONDITIONS1
Output Power at 1dB Compression f = 13.75-14.50GHz
VDS = 10 V, IDSQ 3200mA
Gain at 1dB Compression
f = 13.75-14.50GHz
VDS = 10 V, IDSQ 3200mA
Gain Flatness
f = 13.75-14.50GHz
VDS = 10 V, IDSQ 3200mA
Power Added Efficiency at 1dB Compression
VDS = 10 V, IDSQ 3200mA
f = 14.40-15.35GHz
Drain Current at 1dB Compression f = 14.40-15.35GHz
Caution! ESD sensitive device.
MIN TYP MAX UNITS
40.0 41.0
dBm
5.0 6.0
dB
±0.6 dB
23 %
3960 5100
mA
IDSS
Saturated Drain Current
VDS = 3 V, VGS = 0 V
5900 8200
mA
VP Pinch-off Voltage
RTH Thermal Resistance2
Notes:
1. Tested with 50 Ohm gate resistor.
2. Overall Rth depends on case mounting.
VDS = 3 V, IDS = 64 mA
-1.2 -2.5
V
2.5 3.5 oC/W
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS FOR CONTINUOUS OPERATION1,2
SYMBOL
CHARACTERISTIC
VALUE
VDS Drain to Source Voltage
10 V
VGS Gate to Source Voltage
-4.5 V
IDS Drain Current
IDSS
IGSF Forward Gate Current
220 mA
PIN Input Power
@ 3dB compression
PT Total Power Dissipation
35 W
TCH Channel Temperature
150°C
TSTG
Storage Temperature
-65/+150°C
Note: 1. Exceeding any of the above ratings may result in permanent damage.
2. Exceeding any of the above ratings may reduce MTTF below design goals.
Specifications are subject to change without notice.
Excelics Semiconductor, Inc. 310 De Guigne Drive, Sunnyvale, CA 94085
Phone: 408-737-1711 Fax: 408-737-1868 Web: www.excelics.com
page 1 of 2
Revised July 2007





구       성 총 2 페이지수
다운로드[ EID1314A1-12.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
EID1314A1-12

13.75-14.50 GHz 12-Watt Internally Matched Power FET

Excelics Semiconductor
Excelics Semiconductor

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵