Datasheet.kr   

H5DU2562GFR 데이터시트 PDF




Hynix Semiconductor에서 제조한 전자 부품 H5DU2562GFR은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 H5DU2562GFR 자료 제공

부품번호 H5DU2562GFR 기능
기능 256Mb DDR SDRAM
제조업체 Hynix Semiconductor
로고 Hynix Semiconductor 로고


H5DU2562GFR 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 28 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

H5DU2562GFR 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
256Mb DDR SDRAM
H5DU2562GFR
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev. 1.1 /Sep. 2009
1




H5DU2562GFR pdf, 반도체, 판매, 대치품
www.DataSheet4U.com
H5DU2562GFR
1
VSSQ
DQ14
DQ12
DQ10
DQ8
VREF
2
DQ15
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VSS
CK
A12
A11
A8
A6
A4
37
VSS A VDD
DQ13 B DQ2
DQ11 C DQ4
DQ9 D DQ6
UDQS E LDQS
UDM F LDM
/CK G /WE
CKE H /RAS
A9 J BA1
A7 K A0
A5 L A2
VSS M VDD
x16 Device Ball Pattern
8
DQ0
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VDD
/CAS
/CS
BA0
A10/AP
A1
A3
9
VDDQ
DQ1
DQ3
DQ5
DQ7
NC
: Existing Ball [ For Reference Only ]
: Depopulated Ball
Top View (See the balls through the Package)
123456789
A
1.0mm
B
C
D
E
F
12.0mm
G
H
J
K
L
M
0.8mm
8.0mm
BGA Package Ball Pattern
ROW AND COLUMN ADDRESS TABLE
ITEMS
Organization
Row Address
Column Address
Bank Address
Auto Precharge Flag
Refresh
16Mx16
4M x 16 x 4banks
A0 - A12
A0 - A8
BA0, BA1
A10
8K
Rev. 1.1 /Sep. 2007
4

4페이지










H5DU2562GFR 전자부품, 판매, 대치품
www.DataSheet4U.com
H5DU2562GFR
SIMPLIFIED COMMAND TRUTH TABLE
Command
CKEn-1 CKEn
/CS
/RAS /CAS
/WE
ADDR A10/AP BA
Extended Mode Register Set1,2
H
X
L
L
L
L
OP code
Mode Register Set1,2
HXLLLL
OP code
Device Deselect1
No Operation1
HXXX
HX
L HHH
X
Bank Active1
H X L LHH
RA V
Read1
L
H X L H L H CA
V
Read with Autoprecharge1,3
H
Write1
L
H X L H L L CA
V
Write with Autoprecharge1,4
H
Precharge All Banks1,5
HX
H X LLHLX
Precharge selected Bank1
LV
Read Burst Stop1
H X LHHL
X
Auto Refresh1
H H L L LH
X
Entry
H
L
L
L
LH
Self Refresh1
Exit
L
H
HXXX
L HHH
X
HXXX
Precharge Power
Entry
H
L
L HHH
Down Mode1
Exit
L
H
HXXX
L HHH
X
HXXX
Active Power
Down Mode1
Entry
H
L
L
VVV
Exit L
H
X
X
( H=Logic High Level, L=Logic Low Level, X=Don’t Care, V=Valid Data Input, OP Code=Operand Code, NOP=No Operation )
Note:
1. LDM/UDM states are Don’t Care. Refer to below Write Mask Truth Table.
2. OP Code(Operand Code) consists of A0~A12 and BA0~BA1 used for Mode Register setting during Extended MRS or MRS.
Before entering Mode Register Set mode, all banks must be in a precharge state and MRS command can be issued after tRP
period from Precharge command.
3. If a Read with Autoprecharge command is detected by memory component in CK(n), then there will be no command presented
to activated bank until CK(n+BL/2+tRP).
4. If a Write with Autoprecharge command is detected by memory component in CK(n), then there will be no command presented
to activated bank until CK(n+BL/2+1+tWR+tRP). Write Recovery Time(tWR) is needed to guarantee that the last data has been
completely written.
5. If A10/AP is High when Precharge command being issued, BA0/BA1 are ignored and all banks are selected to be precharged.
*For more information about Truth Table, refer to “Device Operation” section in Hynix website.
Rev. 1.1 /Sep. 2007
7

7페이지


구       성 총 28 페이지수
다운로드[ H5DU2562GFR.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
H5DU2562GFR

256Mb DDR SDRAM

Hynix Semiconductor
Hynix Semiconductor

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵