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QS8J4 데이터시트 PDF




ROHM Semiconductor에서 제조한 전자 부품 QS8J4은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 QS8J4 자료 제공

부품번호 QS8J4 기능
기능 4V Drive Pch Pch MOSFET
제조업체 ROHM Semiconductor
로고 ROHM Semiconductor 로고


QS8J4 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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QS8J4 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
4V Drive Pch + Pch MOSFET
QS8J4
Structure
Silicon P-channel MOSFET
Features
1) Low on-resistance.
2) High power package(TSMT8).
3) Low voltage drive(4V drive).
Application
Switching
Dimensions (Unit : mm)
TSMT8
(8) (7) (6) (5)
(1) (2) (3) (4)
Abbreviated symbol : J04
Packaging specifications
Package
Type Code
Basic ordering unit (pieces)
QS8J4
Taping
TR
3000
Absolute maximum ratings (Ta = 25C)
Parameter
Symbol
Limits
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Source current
(Body Diode)
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
Power dissipation
Channel temperature
Range of storage temperature
VDSS
VGSS
ID
IDP *1
Is
Isp *1
30
20
4
16
1
16
PD *2
1.5
1.25
Tch 150
Tstg 55 to +150
*1 Pw10s, Duty cycle1%
*2 Each terminal mounted on a ceramic board.
Unit
V
V
A
A
A
A
W / TOTAL
W / ELEMENT
C
C
Inner circuit
(8) (7) (6) (5)
(1) Tr1 Source
(2) Tr1 Gate
(3) Tr2 Source 2
(4) Tr2 Gate
(5) Tr2 Drain
(6) Tr2 Drain
(7) Tr1 Drain
(8) Tr1 Drain
2
1
(1) (2)
1
(3) (4)
1 ESD PROTECTION DIODE
2 BODY DIODE
Thermal resistance
Parameter
Channel to Ambient
* Each terminal mounted on a ceramic board.
Symbol
Rth (ch-a)*
Limits
83.3
100
Unit
°C / W /TOTAL
°C / W /ELEMENT
www.rohm.com
©2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/5
2010.04 - Rev.A




QS8J4 pdf, 반도체, 판매, 대치품
QS8J4
150
ID= -2.0A
100 ID= -4.0A
50
Ta=25°C
Pulsed
0
0
5
10 15
GATE-SOURCE VOLTAGE : -VGS[V]
Fig.10 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Gate Source Voltage
10000
1000
100
10
td(off)
tf
td(on)
Ta=25°C
VDD= -15V
VGS= -10V
RG=10
Pulsed
1
0.01
tr
0.1 1
10
DRAIN-CURRENT : -ID[A]
Fig.11 Switching Characteristics
Data Sheet
www.DataSheet4U.com
10
8
6
4 Ta=25°C
VDD= -15V
2 ID= -4.0A
RG=10
Pulsed
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 101112131415
TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC]
Fig.12 Dynamic Input Characteristics
10000
1000
Ta=25°C
f=1MHz
VGS=0V
Ciss
100
Crss
10
0.01
0.1
Coss
1 10 100
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -VDS[V]
Fig.13 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
www.rohm.com
©2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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