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RRH100P03 데이터시트 PDF




ROHM Semiconductor에서 제조한 전자 부품 RRH100P03은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 RRH100P03 자료 제공

부품번호 RRH100P03 기능
기능 4V Drive Pch MOSFET
제조업체 ROHM Semiconductor
로고 ROHM Semiconductor 로고


RRH100P03 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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RRH100P03 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
4V Drive Pch MOSFET
RRH100P03
Structure
Silicon P-channel MOSFET
Features
1) Low on-resistance.
2) Built-in G-S Protection Diode.
3) Small Surface Mount Package (SOP8).
Application
Switching
Packaging specifications
Package
Type
Code
Basic ordering unit (pieces)
RRH100P03
Taping
TB
2500
Absolute maximum ratings (Ta = 25C)
Parameter
Symbol
Drain-source voltage
VDSS
Gate-source voltage
VGSS
Drain current
Continuous
Pulsed
ID
IDP1
Source current
(Body Diode)
Continuous
Pulsed
Power dissipation
Is
Isp 1
PD2
Channel temperature
Tch
Range of storage temperature
1 Pw10μs, Duty cycle1%
2 Mounted on a ceramic board.
Tstg
Limits
30
±20
±10
±40
1.6
40
2.0
150
55 to +150
Unit
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
Thermal resistance
Parameter
Channel to Ambient
Mounted on a ceramic board.
Symbol
Rth (ch-a)
Limits
62.5
Unit
°C / W
Dimensions (Unit : mm)
SOP8
Each lead has same dimensions
Inner circuit
(8) (7)
(6)
(5)
2
1
(1) (2) (3)
1 ESD PROTECTION DIODE
2 BODY DIODE
(4)
(1) Source
(2) Source
(3) Source
(4) Gate
(5) Drain
(6 )Drain
(7) Drain
(8) Drain
www.rohm.com
c 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2010.02 - Rev.A




RRH100P03 pdf, 반도체, 판매, 대치품
RRH100P03
100
Ta =25C
P uls e d
ID = -10.0A
50
ID = -5.0A
0
0 5 10 15
GATE-SOURCE VOLTAGE : -VGS[V]
Fig.10 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Gate Source Voltage
10000
1000
100
td(off)
tf
Ta=25C
VDD= -15V
VGS= -10V
RG=10
Pulsed
10 tr td(on)
1
0.01
0.1 1 10 100
DRAIN-CURRENT : -ID[A]
Fig.11 Switching Characteristics
Data Sheet
www.DataSheet4U.com
10
Ta=25C
8 VDD= -15V
ID= -10A
RG=10
6 Pulsed
4
2
0
0 10 20 30 40 50 60 70
TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC]
Fig.12 Dynamic Input Characteristics
10000
Ciss
1000
Crss
Coss
100
10
0.01
0.1
1
Ta=25C
f=1MHz
VGS=0V
10 100
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -VDS[V]
Fig.13 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
1000
100
Operation in this area is
limited by RDS(ON)
PW=100us
10
PW=1ms
1 PW = 10ms
0.1
0.01
Ta = 25C
Single Pulse
MOUNTED ON CERAMIC BOARD
DC operation
0.1 1
10 100
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -VDS[V]
Fig.14 Maximum Safe Operating Aera
10
1
0.1
0.01
0.001
0.001
Ta = 25C
Single Pulse : 1Unit
Rth(ch-a)(t) = r(t)×Rth(ch-a)
Rth(ch-a) = 62.5C/W
<Mounted on a CERAMIC board>
0.01 0.1
1
10 100 1000
PULSE WIDTH : Pw(s)
Fig.15 Normalized Transient Thermal Resistance vs. Pulse Width
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