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PDB-C232 데이터시트 PDF




Advanced Photonix에서 제조한 전자 부품 PDB-C232은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 PDB-C232 자료 제공

부품번호 PDB-C232 기능
기능 Blue Enhanced Linear Array Silicon Photodiode
제조업체 Advanced Photonix
로고 Advanced Photonix 로고


PDB-C232 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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PDB-C232 데이터시트, 핀배열, 회로
Blue Enhanced Linear Array Silicon Photodiode
PDB-C232www.DataSheet4U.com
FEATURES
Blue enhanced
• Uniform outputs ± 5%
• Low crosstalk ± 2%
PAPCAKCAKGAGEEDDIIMMEENNSSIOIONNSSINICNHC[Hmm[m] m]
1.705 [43.31]
1.695 [43.05]
.205 [5.20]
1.291 [32.78]
.350 [8.88] 34
.705 [17.91]
.695 [17.65]
ELEMENT 1 1
18
17
COMMON
CATHODE
ELEMENT 32
.400 [10.16]
.150 [3.81]
.282 [7.16]
.220 [5.59]
.140 [3.56]
34X Ø.018 [0.46]
.600 [15.24]
COMMON
CATHODE
.050 [1.27]
.100 [2.54] TYP
CHIP DIMENSIONS INCH [mm]
.025 [0.64]
.040 [1.02] PITCH
CHIP DIMENSIONS INCH [mm]
.103 [2.62]
32X .065 [1.65]
ACTIVE AREA
PCB PACKAGE
31X .005 [0.13] GAP
32X .035 [0.89] ACTIVE AREA
.050 [1.27]
PIN CONNECTIONS
ELEMENT NO. PIN NO.
ELEMENT NO.
1 34
18
22
19
3 33
20
43
21
5 32
22
64
23
7 31
24
85
25
9 30
26
10 6
27
1112TO-46 2P79 ACKAG2289E
13 28
30
14 8
31
15 27
32
16 9 CATHODE
17 26 CATHODE
PIN NO.
10
25
11
24
12
23
13
22
14
21
15
20
16
19
17
1
18
DESCRIPTION
The PDB-C232 is a blue enhanced 32 element linear
array silicon photodiode packaged in a PCB with a
terminal strip and flat glass window.
APPLICATIONS
• Spectrometers
• Baggage scanners
• Characters recognition
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (TA)= 23°C UNLESS OTHERWISE NOTED
SYMBOL
VBR
TSTG
TO
TS
PARAMETER
Reverse Voltage
Storage Temperature
Operating Temperature
Soldering Temperature*
MIN MAX UNITS
50 V
-40 +100 °C
-40 +75 °C
+240 °C
* 1/16 inch from case for 3 seconds max.
0.80
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0.00
SPECTRAL RESPONSE
Wavelength (nm)
ELECTRO-OPTICAL CHARACTERISTICS RATING (TA)= 23°C UNLESS OTHERWISE NOTED
SYMBOL
ISC
ID
RSH
CJ
lrange
VBR
NEP
tr
CHARACTERISTIC
Short Circuit Current
Dark Current
Shunt Resistance
Junction Capacitance
Spectral Application Range
Breakdown Voltage
Noise Equivalent Power
Response Time**
TEST CONDITIONS
H = 100 fc, 2850 K
VR = 5V
VR = 10 mV
VR =10 V, f = 1 MHz
Spot Scan
I = 10 μA
VR = 0V @ l=Peak
RL = 50 ,VR = 0 V
RL = 50 ,VR = 10 V
MIN
7.5
100
350
30
TYP
11
1
250
30
75
1x10-14
190
13
MAX
10
1100
UNITS
µA
nA
M
pF
nm
V
W/ Hz
nS
**Response time of 10% to 90% is specified at 660nm wavelength light.
Information in this technical datasheet is believed to be correct and reliable. However, no responsibility is assumed for possible inaccuracies or omission. Specifications are
subject to change without notice.
Advanced Photonix Inc. 1240 Avenida Acaso, Camarillo CA 93012 • Phone (805) 987-0146 • Fax (805) 484-9935 • www.advancedphotonix.com





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