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06N03LA PDF 데이터시트 ( Data , Function )

부품번호 06N03LA 기능
기능 IPB06N03LA
제조업체 Infineon Technologies Corporation
로고 Infineon Technologies Corporation 로고 


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06N03LA 데이터시트, 핀배열, 회로
OptiMOS®2 Power-Transistor
Features
• Ideal for high-frequency dc/dc converters
• N-channel
• Logic level
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
• Very low on-resistance R DS(on)
• Superior thermal resistance
P-TO263-3-2
• 175 °C operating temperature
• dv /dt rated
www.DataSheet4U.com
IPB06N03LA
IPI06N03LA, IPP06N03LA
Product Summary
V DS
R DS(on),max (SMD version)
ID
25 V
5.9 m
50 A
P-TO262-3-1
P-TO220-3-1
Type
IPB06N03LA
IPI06N03LA
IPP06N03LA
Package
P-TO263-3-2
P-TO262-3-1
P-TO220-3-1
Ordering Code
Q67042-S4146
Q67042-S4147
Q67042-S4148
Marking
06N03LA
06N03LA
06N03LA
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Continuous drain current
I D T C=25 °C1)
T C=100 °C
Pulsed drain current
Avalanche energy, single pulse
I D,pulse
E AS
T C=25 °C2)
I D=50 A, R GS=25
Reverse diode dv /dt
dv /dt
I D=50 A, V DS=20 V,
di /dt =200 A/µs,
T j,max=175 °C
Gate source voltage3)
V GS
Power dissipation
P tot T C=25 °C
Operating and storage temperature T j, T stg
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Value
50
50
350
225
6
±20
83
-55 ... 175
55/175/56
Unit
A
mJ
kV/µs
V
W
°C
Rev. 1.2
page 1
2003-06-18




06N03LA pdf, 반도체, 판매, 대치품
1 Power dissipation
P tot=f(T C)
www.DataSheet4U.com
2 Drain current
I D=f(T C); V GS10 V
IPB06N03LA
IPI06N03LA, IPP06N03LA
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0 50 100
T C [°C]
3 Safe operation area
I D=f(V DS); T C=25 °C; D =0
parameter: t p
1000
150
60
40
20
0
200 0
50 100 150
T C [°C]
4 Max. transient thermal impedance
Z thJC=f(t p)
parameter: D =t p/T
10
200
100
limited by on-state
resistance
DC
10
1 µs
10 µs
100 µs
1 ms
10 ms
1 0.5
0.2
0.1
0,1 0.05
0.02
0.01
single pulse
0,01
1
0,1
Rev. 1.2
1 10
V DS [V]
0,001
100 010-6 100-5 100-4 100-3 10-02 10-10 100 1
t p [s]
page 4
2003-06-18

4페이지










06N03LA 전자부품, 판매, 대치품
13 Avalanche characteristics
I AS=f(t AV); R GS=25
parameter: Tj(start)
100
150 °C
100 °C
www.DataSheet4U.com
IPB06N03LA
IPI06N03LA, IPP06N03LA
14 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=25 A pulsed
parameter: V DD
12
25 °C
10
8
15 V
5 V 20 V
10 6
4
2
1
1 10 100
t AV [µs]
15 Drain-source breakdown voltage
V BR(DSS)=f(T j); I D=1 mA
1000
0
0
10 20
Q gate [nC]
16 Gate charge waveforms
30
40
29
V GS
28
27
26
25
24
V g s(th)
23
22
21
20
-60 -20 20 60 100 140 180
T j [°C]
Q g (th)
Q gs
Rev. 1.2
page 7
Qg
Q sw
Q gd
Q gate
2003-06-18

7페이지


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