Datasheet.kr   

06N03LA 데이터시트 PDF



특징 및 기능

Infineon Technologies Corporation에서 제조한 전자 부품 06N03LA은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.

06N03LA의 기능 및 특징 중 하나는 "IPB06N03LA" 입니다.

일반적으로, Infineon Technologies Corporation에서 제조되는 전자부품들은 우수한 성능과
품질에 대한 신뢰성을 갖추고 있습니다.



PDF 형식의 06N03LA 자료 제공

부품번호 06N03LA 기능
기능 IPB06N03LA
제조업체 Infineon Technologies Corporation
로고 Infineon Technologies Corporation 로고


06N03LA 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 10 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

06N03LA 데이터시트, 핀배열, 회로
OptiMOS®2 Power-Transistor
Features
• Ideal for high-frequency dc/dc converters
• N-channel
• Logic level
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
• Very low on-resistance R DS(on)
• Superior thermal resistance
P-TO263-3-2
• 175 °C operating temperature
• dv /dt rated
www.DataSheet4U.com
IPB06N03LA
IPI06N03LA, IPP06N03LA
Product Summary
V DS
R DS(on),max (SMD version)
ID
25 V
5.9 mΩ
50 A
P-TO262-3-1
P-TO220-3-1
Type
IPB06N03LA
IPI06N03LA
IPP06N03LA
Package
P-TO263-3-2
P-TO262-3-1
P-TO220-3-1
Ordering Code
Q67042-S4146
Q67042-S4147
Q67042-S4148
Marking
06N03LA
06N03LA
06N03LA
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Continuous drain current
I D T C=25 °C1)
T C=100 °C
Pulsed drain current
Avalanche energy, single pulse
I D,pulse
E AS
T C=25 °C2)
I D=50 A, R GS=25 Ω
Reverse diode dv /dt
dv /dt
I D=50 A, V DS=20 V,
di /dt =200 A/µs,
T j,max=175 °C
Gate source voltage3)
V GS
Power dissipation
P tot T C=25 °C
Operating and storage temperature T j, T stg
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Value
50
50
350
225
6
±20
83
-55 ... 175
55/175/56
Unit
A
mJ
kV/µs
V
W
°C
Rev. 1.2
page 1
2003-06-18




06N03LA pdf, 반도체, 판매, 대치품
1 Power dissipation
P tot=f(T C)
www.DataSheet4U.com
2 Drain current
I D=f(T C); V GS≥10 V
IPB06N03LA
IPI06N03LA, IPP06N03LA
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0 50 100
T C [°C]
3 Safe operation area
I D=f(V DS); T C=25 °C; D =0
parameter: t p
1000
150
60
40
20
0
200 0
50 100 150
T C [°C]
4 Max. transient thermal impedance
Z thJC=f(t p)
parameter: D =t p/T
10
200
100
limited by on-state
resistance
DC
10
1 µs
10 µs
100 µs
1 ms
10 ms
1 0.5
0.2
0.1
0,1 0.05
0.02
0.01
single pulse
0,01
1
0,1
Rev. 1.2
1 10
V DS [V]
0,001
100 010-6 100-5 100-4 100-3 10-02 10-10 100 1
t p [s]
page 4
2003-06-18

4페이지










06N03LA 전자부품, 판매, 대치품
13 Avalanche characteristics
I AS=f(t AV); R GS=25 Ω
parameter: Tj(start)
100
150 °C
100 °C
www.DataSheet4U.com
IPB06N03LA
IPI06N03LA, IPP06N03LA
14 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=25 A pulsed
parameter: V DD
12
25 °C
10
8
15 V
5 V 20 V
10 6
4
2
1
1 10 100
t AV [µs]
15 Drain-source breakdown voltage
V BR(DSS)=f(T j); I D=1 mA
1000
0
0
10 20
Q gate [nC]
16 Gate charge waveforms
30
40
29
V GS
28
27
26
25
24
V g s(th)
23
22
21
20
-60 -20 20 60 100 140 180
T j [°C]
Q g (th)
Q gs
Rev. 1.2
page 7
Qg
Q sw
Q gd
Q gate
2003-06-18

7페이지


구       성 총 10 페이지수
다운로드[ 06N03LA.PDF 데이터시트 ]

본 사이트를 통해서 주요 제조업체의 전자 부품 및 장치의 기술 사양을 쉽게 찾을 수 있습니다.

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트 데이터베이스를 제공합니다.




구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]


　

관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
06N03LA

IPB06N03LA

Infineon Technologies Corporation
Infineon Technologies Corporation

사이트 맺음말

Datasheet.kr 사이트를 이용해 주셔서 감사합니다. 찾고 계시는 정보를 찾으셨고 도움이 되셨기를 바랍니다. 우리는 플랫폼을 지속적으로 개선하고 새로운 기능을 추가하여 사용자 경험을 향상시키기 위해 최선을 다하고 있습니다. 더 나은 서비스를 제공할 수 있는 방법에 대한 피드백이나 제안 사항이 있으면 문의하십시오.


DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵