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STPR810DB 데이터시트 PDF




Lite-On Technology에서 제조한 전자 부품 STPR810DB은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 STPR810DB 자료 제공

부품번호 STPR810DB 기능
기능 SUPER FAST GLASS PASSIVATED RECTIFIERS
제조업체 Lite-On Technology
로고 Lite-On Technology 로고


STPR810DB 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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STPR810DB 데이터시트, 핀배열, 회로
LITE-ON
SEMICONDUCTOR
SUPER FAST
GLASS PASSIVATED RECTIFIERS
www.DataSheet4U.com
STPR805DB thru 820DB
REVERSE VOLTAGE - 50 to 200 Volts
FORWARD CURRENT - 8.0 Amperes
FEATURES
Glass passivated chip
Superfast switching time for high efficiency
Low forward voltage drop and high current capability
Low reverse leakage current
High surge capacity
Plastic package has UL flammability classification
94V-0
MECHANICAL DATA
Case : TO-220AC molded plastic
Polarity : As marked on the body
Weight : 0.08 ounces, 2.24 grams
Mounting position : Any
TO-220AC
B
C
K
PIN
12
I
H
PIN 1
PIN 2
L TO-220AC
M
DIM. MIN. MAX.
D A 14.22 15.88
A B 9.65 10.67
C 2.54 3.43
E
D 5.84 6.86
E 8.26 9.28
F F - 6.35
G 12.70 14.73
G H 4.83 5.33
J I 0.51 1.14
J 0.30 0.64
N K 3.53 4.09
L 3.56 4.83
CASE
M 1.14 1.40
N 2.03 2.92
All Dimensions in millimeter
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
CHARACTERISTICS
SYMBOL STPR805DB STPR810DB STPR815DB STPR820DB UNIT
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current
@TC=125 C
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half-sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC Metod)
VRRM
VRMS
VDC
I(AV)
IFSM
50
35
50
100 150
70 105
100 150
8
100
200 V
140 V
200 V
A
A
Maximum Forward
Voltage IF=8A
@TJ =25 C
@TJ =150 C
VF
1.3
0.8
V
Maximum DC Reverse Current
at Peak Reverse Voltage
Typical Junction
Capacitance (Note 1)
@TJ =25 C
@TJ =100 C
IR
CJ
Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)
TRR
Typical Thermal Resistance (Note 3)
R0JC
Operating and Storage Temperature Range
TJ ,TSTG
NOTES :1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
2.Reverse Recovery Test Conditions:IF=0.5A,IR=1.0A ,IRR 0.25A.
3.Thermal Resistance Junction to Case.
10
500
45
25
3.0
-55 to +150
uA
pF
ns
C/W
C
REV. 3, 13-Sep-2001, KTGA03





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