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부품번호 | SPW35N60CFD 기능 |
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기능 | CoolMOS Power Transistor | ||
제조업체 | Infineon Technologies AG | ||
로고 | |||
전체 12 페이지수
www.DataSheet4U.com
CoolMOSTM Power Transistor
Features
• New revolutionary high voltage technology
• Intrinsic fast-recovery body diode
• Extremely low reverse recovery charge
• Ultra low gate charge
• Extreme dv /dt rated
• High peak current capability
• Periodic avalanche rated
• Qualified according to JEDEC1) for target applications
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary
V DS
R DS(on),max
ID
SPW35N60CFD
600 V
0.118 Ω
34 A
PG-TO247
Type
SPW35N60CFD
Package
PG-TO247
Ordering Code
Q67045A5053
Marking
35N60CFD
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Continuous drain current
ID
Pulsed drain current2)
Avalanche energy, single pulse
Avalanche
energy,
repetitive
t
2),3)
AR
Avalanche
current,
repetitive
t
2),3)
AR
I D,pulse
E AS
E AR
I AR
Drain source voltage slope
dv /dt
T C=25 °C
T C=100 °C
T C=25 °C
I D=10 A, V DD=50 V
I D=20 A, V DD=50 V
I D=34.1 A, V DS=480 V,
T j=125 °C
Reverse diode dv /dt
dv /dt
Maximum diode commutation speed di /dt
I S=34.1 A, V DS=480 V,
T j=125 °C
Gate source voltage
V GS static
AC (f >1 Hz)
Power dissipation
Operating and storage temperature
P tot
T j, T stg
T C=25 °C
Value
34.1
21.6
85
1300
1
20
80
40
600
±20
±30
313
-55 ... 150
Rev. 1.2
page 1
Unit
A
mJ
A
V/ns
V/ns
A/µs
V
W
°C
2005-06-28
www.DataSheet4U.com
Parameter
Reverse Diode
Diode continuous forward current
Diode pulse current
Diode forward voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Peak reverse recovery current
Symbol Conditions
IS
I S,pulse
V SD
t rr
Q rr
I rrm
T C=25 °C
V GS=0 V, I F=34.1 A,
T j=25 °C
V R=480 V, I F=I S,
di F/dt =100 A/µs
SPW35N60CFD
min.
Values
typ.
Unit
max.
- - 34.1 A
- - 85
- 1.0 1.2 V
- 180 - ns
- 1.5 - µC
- 16 - A
Typical Transient Thermal Characteristics
Symbol Value
Unit Symbol
typ.
R th1
R th2
R th3
R th4
R th5
0.00441
0.00608
0.0341
0.0602
0.0884
K/W
C th1
C th2
C th3
C th4
C th5
C th6
Value
typ.
0.00037
0.00223
0.00315
0.0179
0.098
4.45)
Unit
Ws/K
5) C th6 models the additional heat capacitance of the package in case of non-ideal cooling. It is not needed if
R thCA=0 K/W.
Rev. 1.2
page 4
2005-06-28
4페이지 www.DataSheet4U.com
9 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=34.1 A pulsed
parameter: V DD
12
120 V
10 480 V
8
6
SPW35N60CFD
10 Forward characteristics of reverse diode
I F=f(V SD)
parameter: T j
102
25 °C, 98%
25 °C
150 °C, 98%
150 °C
101
4 100
2
0
0 50
11 Avalanche SOA
I AR=f(t AR)
parameter: T j(start)
25
100
Q gate [nC]
150
10-1
200 0
0.5 1
V SD [V]
12 Avalanche energy
E AS=f(T j); I D=10 A; V DD=50 V
1.5
1400
1200
20
1000
15
800
10 600
125 °C
25 °C
400
5
200
0
10-3
10-2
10-1
100
101
102
103
t AR [µs]
0
20 60 100 140
T j [°C]
2
180
Rev. 1.2
page 7
2005-06-28
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