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SPW35N60CFD 데이터시트 PDF




Infineon Technologies AG에서 제조한 전자 부품 SPW35N60CFD은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 SPW35N60CFD 자료 제공

부품번호 SPW35N60CFD 기능
기능 CoolMOS Power Transistor
제조업체 Infineon Technologies AG
로고 Infineon Technologies AG 로고


SPW35N60CFD 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 12 페이지수

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SPW35N60CFD 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
CoolMOSTM Power Transistor
Features
• New revolutionary high voltage technology
• Intrinsic fast-recovery body diode
• Extremely low reverse recovery charge
• Ultra low gate charge
• Extreme dv /dt rated
• High peak current capability
• Periodic avalanche rated
• Qualified according to JEDEC1) for target applications
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary
V DS
R DS(on),max
ID
SPW35N60CFD
600 V
0.118
34 A
PG-TO247
Type
SPW35N60CFD
Package
PG-TO247
Ordering Code
Q67045A5053
Marking
35N60CFD
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Continuous drain current
ID
Pulsed drain current2)
Avalanche energy, single pulse
Avalanche
energy,
repetitive
t
2),3)
AR
Avalanche
current,
repetitive
t
2),3)
AR
I D,pulse
E AS
E AR
I AR
Drain source voltage slope
dv /dt
T C=25 °C
T C=100 °C
T C=25 °C
I D=10 A, V DD=50 V
I D=20 A, V DD=50 V
I D=34.1 A, V DS=480 V,
T j=125 °C
Reverse diode dv /dt
dv /dt
Maximum diode commutation speed di /dt
I S=34.1 A, V DS=480 V,
T j=125 °C
Gate source voltage
V GS static
AC (f >1 Hz)
Power dissipation
Operating and storage temperature
P tot
T j, T stg
T C=25 °C
Value
34.1
21.6
85
1300
1
20
80
40
600
±20
±30
313
-55 ... 150
Rev. 1.2
page 1
Unit
A
mJ
A
V/ns
V/ns
A/µs
V
W
°C
2005-06-28




SPW35N60CFD pdf, 반도체, 판매, 대치품
www.DataSheet4U.com
Parameter
Reverse Diode
Diode continuous forward current
Diode pulse current
Diode forward voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Peak reverse recovery current
Symbol Conditions
IS
I S,pulse
V SD
t rr
Q rr
I rrm
T C=25 °C
V GS=0 V, I F=34.1 A,
T j=25 °C
V R=480 V, I F=I S,
di F/dt =100 A/µs
SPW35N60CFD
min.
Values
typ.
Unit
max.
- - 34.1 A
- - 85
- 1.0 1.2 V
- 180 - ns
- 1.5 - µC
- 16 - A
Typical Transient Thermal Characteristics
Symbol Value
Unit Symbol
typ.
R th1
R th2
R th3
R th4
R th5
0.00441
0.00608
0.0341
0.0602
0.0884
K/W
C th1
C th2
C th3
C th4
C th5
C th6
Value
typ.
0.00037
0.00223
0.00315
0.0179
0.098
4.45)
Unit
Ws/K
5) C th6 models the additional heat capacitance of the package in case of non-ideal cooling. It is not needed if
R thCA=0 K/W.
Rev. 1.2
page 4
2005-06-28

4페이지










SPW35N60CFD 전자부품, 판매, 대치품
www.DataSheet4U.com
9 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=34.1 A pulsed
parameter: V DD
12
120 V
10 480 V
8
6
SPW35N60CFD
10 Forward characteristics of reverse diode
I F=f(V SD)
parameter: T j
102
25 °C, 98%
25 °C
150 °C, 98%
150 °C
101
4 100
2
0
0 50
11 Avalanche SOA
I AR=f(t AR)
parameter: T j(start)
25
100
Q gate [nC]
150
10-1
200 0
0.5 1
V SD [V]
12 Avalanche energy
E AS=f(T j); I D=10 A; V DD=50 V
1.5
1400
1200
20
1000
15
800
10 600
125 °C
25 °C
400
5
200
0
10-3
10-2
10-1
100
101
102
103
t AR [µs]
0
20 60 100 140
T j [°C]
2
180
Rev. 1.2
page 7
2005-06-28

7페이지


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