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PBSS4032PT 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 PBSS4032PT은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 PBSS4032PT 자료 제공

부품번호 PBSS4032PT 기능
기능 2.4A PNP low VCEsat (BISS) transistor
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


PBSS4032PT 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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PBSS4032PT 데이터시트, 핀배열, 회로
DataSheet.in
PBSS4032PT
30 V, 2.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
Rev. 01 — 18 December 2009
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB)
small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PBSS4032NT.
1.2 Features
„ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
„ Optimized switching time
„ High collector current capability IC and ICM
„ High collector current gain (hFE) at high IC
„ High energy efficiency due to less heat generation
„ AEC-Q101 qualified
„ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
1.3 Applications
„ DC-to-DC conversion
„ Battery-driven devices
„ Power management
„ Charging circuits
1.4 Quick reference data
Table 1.
Symbol
VCEO
IC
ICM
RCEsat
Quick reference data
Parameter
Conditions
collector-emitter voltage open base
collector current
peak collector current
collector-emitter
saturation resistance
single pulse;
tp 1 ms
IC = 2 A;
IB = 200 mA
[1] Pulse test: tp 300 μs; δ ≤ 0.02.
Min Typ Max Unit
- - 30 V
- - 2.4 A
- - 5 A
[1] - 110 165 mΩ




PBSS4032PT pdf, 반도체, 판매, 대치품
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NXP Semiconductors
PBSS4032PT
30 V, 2.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
6. Thermal characteristics
Table 6.
Symbol
Rth(j-a)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from
junction to ambient
Rth(j-sp)
thermal resistance from
junction to solder point
Conditions
in free air
Min Typ Max Unit
[1] - - 320 K/W
[2] - - 190 K/W
[3] - - 115 K/W
- - 62 K/W
[1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
[2] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for collector 1 cm2.
[3] Device mounted on a ceramic PCB, Al2O3, standard footprint.
103
Zth(j-a)
(K/W)
102
10
1
duty cycle = 1
0.75
0.5
0.33
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0
006aab955
101
105
104
103
102
101
1
10 102 103
tp (s)
FR4 PCB, standard footprint
Fig 2. Transient thermal impedance from junction to ambient as a function of pulse duration; typical values
PBSS4032PT_1
Product data sheet
Rev. 01 — 18 December 2009
© NXP B.V. 2009. All rights reserved.
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PBSS4032PT 전자부품, 판매, 대치품
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NXP Semiconductors
600
hFE
400
200
006aab966
(1)
(2)
(3)
PBSS4032PT
30 V, 2.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
3.0
IC
(A)
2.0
1.0
IB (mA) = 50
40
30
20
10
006aab967
45
35
25
15
5
0
101
1
10
102
103
104
IC (mA)
VCE = 2 V
(1) Tamb = 100 °C
(2) Tamb = 25 °C
(3) Tamb = 55 °C
Fig 5. DC current gain as a function of collector
current; typical values
1.8
VBE
(V)
1.2
006aab968
0.6
(1)
(2)
(3)
0.0
0.0
1.0 2.0 3.0 4.0 5.0
VCE (V)
Tamb = 25 °C
Fig 6. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
1.4
VBEsat
(V)
1.0
0.6
006aab969
(1)
(2)
(3)
0.0
101
1
10
102
103
104
IC (mA)
0.2
101
1
10
102
103
104
IC (mA)
VCE = 2 V
(1) Tamb = 55 °C
(2) Tamb = 25 °C
(3) Tamb = 100 °C
Fig 7. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
IC/IB = 20
(1) Tamb = 55 °C
(2) Tamb = 25 °C
(3) Tamb = 100 °C
Fig 8. Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
PBSS4032PT_1
Product data sheet
Rev. 01 — 18 December 2009
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