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R2J25953 데이터시트 PDF




Renesas Technology에서 제조한 전자 부품 R2J25953은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 R2J25953 자료 제공

부품번호 R2J25953 기능
기능 H-Bridge Control High Speed Power Switching
제조업체 Renesas Technology
로고 Renesas Technology 로고


R2J25953 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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R2J25953 데이터시트, 핀배열, 회로
Preliminary Datasheet
R2J25953
H-Bridge Control High Speed Power Switching
with Built-in Driver IC and Power MOS FET
R07DS0044EJ0300
Rev.3.00
Sep 01, 2010
Description
The R2J25953 multi-chip module incorporates high-side Pch MOS FET, low-side Nch MOS FET, and Bi-CMOS driver
in a single HSOP-36 package.
Features
For Automotive application
Built-in low on state resistance MOS FET.
(Pch: 16 mMax., Nch: 11 mMax.)
Pch MOS FET is adopted on the high-side, and the charge pump noise was lost.
Built-in protection circuit of Thermal shut-down (TSD), Low Voltage Inhit (LVI), Overvoltage Detection (OVD)
and Overcurrent Detection.
Built-in diagnostic function.
Built-in cross-conduction protection.
Small Surface mounting package: HSOP-36
Block Diagram
Reverce battery
protection device
VBAT Vz
Cp
VB1
M
VBS1
VCC VBS2
VB2
OUT1
Pch MOS
Dr.
Dr.
Nch MOS
LVI, OVD
Overcurrent detection
TSD
Logic
Pch MOS
Dr.
OUT2
Dr.
Nch MOS
PGND1
PWM INA INB DIAG LGND
V30
C1
PGND2
Pull-up in the Microcomputer
R1 power supply
Microcomputer
R07DS0044EJ0300 Rev.3.00
Sep 01, 2010
www.DataSheet.in
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R2J25953 pdf, 반도체, 판매, 대치품
R2J25953
Preliminary
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C, VB = VCC = 12 V)
Item
Symbol Min Typ Max Unit
Condition
Application Note
terminal
Supply current
Icc0 — 30 50 A Standby
VCC
1
Icc — 3.5 10 mA ACTIVE
1
VB
Input current
IinvbL — — 1 A Standby
VB1/VB2
1
MOS
Static High-side RonH
9
16 mIout = 15 A
resistance
Pulse test
Static Low-side
RonL
7
11 mIout = 15 A
resistance
Pulse test
Off state current
Ioff
— 10 20 A
IN
Input current
IinL — — 10 A Vin = 0 V
INA/INB
IinH — — 10 A Vin =VB
/PWM
High threshold
Vthin 3.0 —
V
Low threshold
Vtlin — — 1.5 V
Delay time
tpLH
— 1.5 4.0 s OUT/IN (PWM) OUT, PWM 2
tpHL
— 3.0 6.0 s
Rise time
tr — 1.0 3.0 s OUT
OUT1/2
Fall time
tf — 1.0 3.0 s
DIAG
Output voltage
VDiag —
0.4 0.6
V I = 2 mA,
DIAG
DIAG = Low
Leak current
IDiag — — 10 A Vdiag = 0 V
TSD
Shut-down
Tsd 150 175 — °C
3
temperature
Hysteresis
Thys 7 25 — °C
OVD
Shut-down
VtvH 28.9 34 39.1 V
VCC
voltage
Return voltage
VtvL 21.3 25 28.7 V
LVI
Return voltage
VRLVI 5.0 5.35 5.6
V
VCC
Hysteresis
VHLVI 0.3 0.5 0.7
V
Overcurrent Shut-down
IcL 35 — — A
OUT1/2
detection current
Detection time
tcL 60 10 20 s
MOS FET Pch forward
VDFp — 1.0 1.3 V IF = 50 A,
Body-diode voltage
Pulse test
Nch forward
VDFn — 1.0 1.3 V
voltage
Notes: 1. Refer to truth table.
2. Refer to the input condition to the truth table.
PWM
50%
50%
tpLH
tpHL
OUT1
(OUT2)
50%
10%
tr
90%
90%
3. It is a design guaranteed value, and it doesn't apply to the final test.
50%
10%
tf
R07DS0044EJ0300 Rev.3.00
Sep 01, 2010
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R2J25953 전자부품, 판매, 대치품
R2J25953
Pin name
VCC
LGND
Pin No.
25
10
VBS1
VBS2
30
26
V30 28
Equivalent circuit
VCC
Preliminary
VB1
VB2
VBS1
VBS2
LGND
VCC
VCC
V30
LGND
R07DS0044EJ0300 Rev.3.00
Sep 01, 2010
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