Datasheet.kr   

WTPB16A60SW 데이터시트 PDF




WINSEMI SEMICONDUCTOR에서 제조한 전자 부품 WTPB16A60SW은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 WTPB16A60SW 자료 제공

부품번호 WTPB16A60SW 기능
기능 Sensitive Gate Bi-Directional Triode Thyristor
제조업체 WINSEMI SEMICONDUCTOR
로고 WINSEMI SEMICONDUCTOR 로고


WTPB16A60SW 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 5 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

WTPB16A60SW 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet.in
WTPB16A60SW
Sensitive Gate
Bi-Directional Triode Thyristor
Features
■ Repetitive Peak off-State Voltage: 600V
■ R.M.S On-State Current(IT(RMS)=16A
■ Low on-state voltage: VTM=1.55V(Max.)@ IT=22.5A
■ High Commutation dV/dt.
General Description
General purpose swiTJhing and phase control applications.
These devices are intended to be interfaced directly to micro-
controllers, logic integrated circuits and other low power gate
trigger circuits such as fan speed and temperature modulation
control, lighting control and static switching relay.
Absolute Maximum Ratings (TJ=25unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Value Units
VDRM/VPRM
IT(RMS)
ITSM
I2t
Peak Repetitive Forward Blocking Voltage(gate open) (Note 1)
Forward Current RMS (All Conduction Angles, TJ=58)
Peak Forward Surge Current, (full Cycle, Sine Wave, 50/60 Hz)
Circuit Fusing Considerations (tp= 10 ms)
600
16
160/168
144
V
A
A
A2s
PGM Peak Gate Power — Forward, (TJ = 58°C,Pulse with≤1.0us)
5W
PG(AV)
dI/dt
IFGM
Average Gate Power — Forward, (Over any 20ms period)
Critical rate of rise of on-state current
ITM = 20A; IG = 200mA; dIG/dt = 200mA/µs
TJ=125
Peak Gate Current — Forward, TJ = 125°C (20 µs, 120 PPS)
1W
50 A/μs
4A
VRGM
Peak Gate Voltage — Reverse, TJ= 125°C (20 µs, 120 PPS)
10 V
TJ, Junction Temperature
-40~125
Tstg Storage Temperature
-40~150
Note1: .Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the TRIAC may
swiTJh to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 15A/us.
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
RQJC
RQJA
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Value
Min Typ Max
- - 1.6
- - 60
Units
/W
/W
Rev. B Nov.2008
Copyright @ WinSemi Semiconductor Co., Ltd., All rights reserved.
T01-3




WTPB16A60SW pdf, 반도체, 판매, 대치품
www.DataSheet.in
WTPB16A60SW
8
Fig.7
Fig.8
Fig.9
Fig.10 Gate Trigger Characteristics Test Circuit
4/5
Copyright @ WinSemi Semiconductor Co., Ltd., All rights reserved.

4페이지












구       성 총 5 페이지수
다운로드[ WTPB16A60SW.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
WTPB16A60SW

Sensitive Gate Bi-Directional Triode Thyristor

WINSEMI SEMICONDUCTOR
WINSEMI SEMICONDUCTOR

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵