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부품번호 | WTD1386 기능 |
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기능 | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR | ||
제조업체 | Weitron Technology | ||
로고 | |||
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
P b Lead(Pb)-Free
Features:
* Low VCE(sat) = -0.55(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A)
* Excellent DC Current Gain Characteristics
Mechanical Data:
* Case : Molded Plastic
* Weight : 0.925 grams
WTD1386
1.BASE
2.COLLECTOR
3.EMITTER
1 23
D-PAK(TO-252)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25ºC)
Rating
Collector to Base Voltage
Symbol
VCBO
Collector to Emitter Voltage
VCEO
Collector to Base Voltage
Collector Current
Total Device Disspation TC = 25°C
Junction Temperature
Storage Temperature
VEBO
IC(DC)
IC(Pulse)
PD
Tj
Tstg
Value
-30
-20
-6
-5
-10
20
+150
-55 to +150
Unit
V
V
V
A
W
˚C
˚C
Device Marking
WTD1386 = 1386
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
www.DataSheet.in
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09-Sep-05
WTD1386
TO-252 Outline Dimensions
E
A
4
123
B
G
H
J
D
C
M
K
L
unit:mm
TO-252
Dim Min
Max
A 6.40 6.80
B 9.00 10.00
C 0.50 0.80
D - 2.30
E 2.20 2.50
G 0.45 0.55
H 1.00 1.60
J 5.40 5.80
K 0.30 0.64
L 0.70 1.70
M 0.90
1.50
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
www.DataSheet.in
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09-Sep-05
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
WTD1386 | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR | Weitron Technology |
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