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부품번호 | WFP9N20 기능 |
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기능 | Silicon N-Channel MOSFET | ||
제조업체 | WINSEMI SEMICONDUCTOR | ||
로고 | |||
www.DataSheet.in
WFP9N20
Silicon N-Channel MOSFET
Features
■ 9A, 200V, RDS(on)(Max 0.4Ω)@VGS=10V
■ Ultra-low Gate Charge(Typical 43nC)
■ Fast Switching Capability
■ 100%Avalanche Tested
■ Maximum Junction Temperature Range(150℃)
General Description
This Power MOSFET is produced using Winsemi’s advanced
planar stripe, DMOS technology. This latest technology has been
especially designed to minimize on-state resistance, have a high
rugged avalanche characteristics. This devices is specially well
suited for low voltage applications such as automotive, high
efficiency switching for DC/DC converters, and DC motor control.
G
D
S
TO220
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
VDSS
ID
IDM
VGS
EAS
EAR
dv/dt
PD
TJ, Tstg
TL
Drain Source Voltage
Continuous Drain Current(@Tc=25℃)
Continuous Drain Current(@Tc=100℃)
Drain Current Pulsed
Gate to Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Total Power Dissipation(@Tc=25℃)
Derating Factor above 25℃
Junction and Storage Temperature
Maximum lead Temperature for soldering purposes
(Note1)
(Note 2)
(Note 1)
(Note 3)
Value
200
9
5.7
36
±30
160
7.2
5.5
72
0.57
-55~150
300
Units
V
A
A
A
V
mJ
mJ
V/ns
W
W/℃
℃
℃
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
RQJC
RQCS
RQJA
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Case to Sink
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Value
Min Typ Max
- - 1.74
- 0.5 -
- - 62.5
Units
℃/W
℃/W
℃/W
Rev, C Dec.2009
Copyright@WinSemi Semiconductor Co.,Ltd.,All rights reserved.
T03-1
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WFP9N20
Fig.7 Maximum Safe Operation Area
Fig.8 Maximum Drain Current vs
Case Temperature
Fig.9 Transient Thermal Response Curve
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4페이지 www.DataSheet.in
TO-220 Package Dimension
WFP9N20
Unit: mm
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
WFP9N20 | Silicon N-Channel MOSFET | WINSEMI SEMICONDUCTOR |
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