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PDMB300BS12 데이터시트 PDF




Nihon Inter Electronics Corporation에서 제조한 전자 부품 PDMB300BS12은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 PDMB300BS12 자료 제공

부품번호 PDMB300BS12 기능
기능 IGBT MODULE
제조업체 Nihon Inter Electronics Corporation
로고 Nihon Inter Electronics Corporation 로고


PDMB300BS12 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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PDMB300BS12 데이터시트, 핀배열, 회로
IGBT Module-Dual
□ 回 路 図 : CIRCUIT
(C2E1)
1
(E2)
2
7(G2)
6(E2)
(C1)
3
5(E1)
4(G1)
300 A,1200V
QS043-402-20372(2/5)
PDMB300BS12
PDMB300BS12C
□ 外 形 寸 法 図 : OUTLINE DRAWING
3-M6
110
93 ± 0.2 5
14 11 14 11 14
4-Ø6.5
3-M6
108
93 ±0 .25
14 11 14 11 14
4-Ø 6.5
1 2 37
6
5
4
1 2 37
6
5
4
25 25 24
16 9 16 9 16
25 25 24
16 9 16 9 16
LABEL
LABEL
PDMB300BS12
PDMB300BS12C
Dimension:[mm]
□ 最 大 定 格 : MAXIMUM RATINGS (T=25℃)
Item
Symbol
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-Emitter Voltage
CES
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Gate-Emitter Voltage
GES
コレク
Collector
コレク
Collector
タ電流
Current
タ損失
Power Dissipation
DC
1ms
CP
接合温度
Junction Temperature Range
保存温度
Storage Temperature Range
stg
絶 縁 耐 圧(Terminal to Base AC,1minute)
Isolation Voltage
ISO
締 め 付 け ト ル ク Module Base to Heatsink
Mounting Torque
Busbar to Main Terminal
tor
Rated Value
1,200
±20
300
600
1,800
-40~+150
-40~+125
2,500
3(30.6)
Unit
(RMS)
N・m
(kgf・cm)
□ 電 気 的 特 性 : ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T=25℃)
Characteristic
Symbol Test Condition Min. Typ. Max. Unit
コレクタ遮断電流
Collector-Emitter Cut-Off Current
CES
CE= 1200V,VGE= 0V
- - .0 mA
ゲート漏れ電流
Gate-Emitter Leakage Current
GES
GE= ±20V,VCE= 0V
1.0
μA
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-Emitter Saturation Voltage
CE(sat) = 300A,VGE= 15V
- 2.3 2.7 V
ゲ ー ト しきい値電圧
Gate-Emitter Threshold Voltage
GE(th)
CE= 5V,I= 300mA
4.0 - 8.0 V
入力容量
Input Capacitance
ies
CE= 10V,VGE= 0V,f= 1MH
- 18,900 -
pF
スイッチング時間
Switching Time
上昇時間
ターンオン時間
下降時間
ターンオフ時間
Rise Time
Turn-on Time
Fall Time
Turn-off Time
on
off
CC= 600V
L= 2.0Ω
G= 5.1Ω
GE= ±15V
- 0.25 0.45
0.40 0.70
0.25 0.35
μs
- 0.80 1.10
□フリーホイーリングダイオードの 特 性: FREE WHEELING DIODE RATINGS & CHARACTERISTICS(T=25℃)
Item
Symbol
Rated Value
Unit
順電流
Forward Current
DC
1ms
FM
300
600
Characteristic
順電圧
Peak Forward Voltage
逆回復時間
Reverse Recovery Time
Symbol
rr
□ 熱 的 特 性 : THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
熱抵抗
IGBT
Thermal Impedance
Diode
Symbol
Rth(j-c)
Test Condition
= 300A,VGE= 0V
= 300A,VGE= -10V
di/dt= 600A/μs
Test Condition
Junction to Case
www.DataSheet.in
日本インター株式会社
Min.
Typ.
2.2
Max. Unit
2.6
0.2 0.3
μs
Min.
Typ.
Max. Unit
0.069
0.143
℃/W
01




PDMB300BS12 pdf, 반도체, 판매, 대치품
PDMB300BS12
PDMB300BS12C
QS043-402-20372(5/5)
Fig.13- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode
600 (Typical)
500
TC=25°C
TC=125°C
400
300
200
100
0
01234
Forward Voltage VF (V)
Fig.14- Reverse Recovery Characteristics (Typical)
1000
trr
300
IF=300A
TC=25°C
TC=125°C
100
IRrM
30
10
0
600
1200
1800
-di/dt (A/µs)
2400
2000
1000
300
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0
Fig.15- Reverse Bias Safe Operating Area
RG=5.1(, VGE=±15V, TC=125°C
200 400 600 800 1000 1200
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
1400
1
3x10-1
1x10-1
3x10-2
1x10-2
3x10-3
1x10-3
3x10-4
10-5
Fig.16- Transient Thermal Impedance
FRD
IGBT
TC=25°C
1 Shot Pulse
10-4
10-3
10-2
10-1
1
101
Time t (s)
www.DataSheet.in
日本インター株式会社
01

4페이지












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