Datasheet.kr   

FU9N20D 데이터시트 PDF




International Rectifier에서 제조한 전자 부품 FU9N20D은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FU9N20D 자료 제공

부품번호 FU9N20D 기능
기능 IRFU9N20D
제조업체 International Rectifier
로고 International Rectifier 로고


FU9N20D 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 10 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

FU9N20D 데이터시트, 핀배열, 회로
PD - 93919A
SMPS MOSFET
Applications
l High frequency DC-DC converters
VDSS
200V
IRFR9N20D
IRFU9N20D
HEXFET® Power MOSFET
RDS(on) max
0.38
ID
9.4A
Benefits
l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
l Fully Characterized Capacitance Including
Effective COSS to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
l Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
D-Pak
IRFR9N20D
I-Pak
IRFU9N20D
Absolute Maximum Ratings
ID @ TC = 25°C
ID @ TC = 100°C
IDM
PD @TC = 25°C
VGS
dv/dt
TJ
TSTG
Parameter
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Pulsed Drain Current 
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Typical SMPS Topologies
l Telecom 48V input Forward Converter
Notes  through † are on page 10
www.irf.com
Max.
9.4
6.7
38
86
0.57
± 30
5.0
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
Units
A
W
W/°C
V
V/ns
°C
1
6/29/00
www.DataSheet.in




FU9N20D pdf, 반도체, 판매, 대치품
IRFR9N20D/IRFU9N20D
10000
1000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Ciss
100 Coss
10
1
Crss
10 100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1000
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
20
ID = 5.6A
16
12
VDS = 160V
VDS = 100V
VDS = 40V
8
4
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
0
0 5 10 15 20 25 30
QG, Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
100
10
TJ = 175° C
1
TJ = 25 ° C
0.1
0.2
VGS = 0 V
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
VSD ,Source-to-Drain Voltage (V)
1.4
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
4
1000
100
10
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY RDS(on)
10us
100us
1ms
1
10ms
TC = 25 °C
TJ = 175°C
Single Pulse
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1000
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
www.DataSheet.in

4페이지










FU9N20D 전자부품, 판매, 대치품
IRFR9N20D/IRFU9N20D
D.U.T
+
‚
-

RG
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
+ Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
ƒ
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
-
-
„
+
dv/dt controlled by RG
Driver same type as D.U.T.
ISD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
+
- VDD
Driver Gate Drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
VGS=10V *
D.U.T. ISD Waveform
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
di/dt
D.U.T. VDS Waveform Diode Recovery
dv/dt
Re-Applied
Voltage
Body Diode
Inductor Curent
Forward Drop
VDD
Ripple 5%
ISD
* VGS = 5V for Logic Level Devices
Fig 14. For N-Channel HEXFET® Power MOSFETs
www.irf.com
7
www.DataSheet.in

7페이지


구       성 총 10 페이지수
다운로드[ FU9N20D.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
FU9N20D

IRFU9N20D

International Rectifier
International Rectifier

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵