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EM610FV8 데이터시트 PDF




Emerging Memory & Logic Solutions에서 제조한 전자 부품 EM610FV8은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 EM610FV8 자료 제공

부품번호 EM610FV8 기능
기능 128K x8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
제조업체 Emerging Memory & Logic Solutions
로고 Emerging Memory & Logic Solutions 로고


EM610FV8 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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EM610FV8 데이터시트, 핀배열, 회로
merging Memory & Logic Solutions Inc.
Document Title
128K x8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
Revision History
Revision No. History
0.0 Initial Draft
0.1 2’nd Draft Add Pb-free part number
EM610FV8 Series
Low Power, 128Kx8 SRAM
www.DataSheet4U.com
Draft Date
December 2 , 2003
February 13 , 2004
Remark
Emerging Memory & Logic Solutions Inc.
IT Venture Tower Eastside 11F, 78, Karac-Dong, Songpa-Ku, Seoul, Rep.of Korea Zip Code : 138-160
Tel : +82-2-2142-1759~1766 Fax : +82-2-2142-1769 / Homepage : www.emlsi.com
The attached datasheets are provided by EMLSI reserve the right to change the specifications and products. EMLSI will answer to your
questions about device. If you have any questions, please contact the EMLSI office.
1




EM610FV8 pdf, 반도체, 판매, 대치품
merging Memory & Logic Solutions Inc.
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS 1)
Parameter
Supply voltage
Ground
Input high voltage
Input low voltage
Symbol
VCC
VSS
VIH
VIL
1. TA= -40 to 85oC, otherwise specified
2. Overshoot: VCC +2.0 V in case of pulse width < 20ns
3. Undershoot: -2.0 V in case of pulse width < 20ns
4. Overshoot and undershoot are sampled, not 100% tested.
Min
2.7
0
2.2
-0.2 3 )
EM610FV8 Series
Low Power, 128Kx8 SRAM
www.DataSheet4U.com
Typ Max Unit
3.3 3.6 V
0 0V
-
VCC + 0.22)
V
- 0.6 V
CAPACITANCE1) (f =1MHz, TA=25oC)
Item
Input capacitance
Input/Ouput capacitance
Symbol
CIN
CIO
Test Condition
Min
Max
Unit
VIN =0V
- 8 pF
VIO=0V
- 10 pF
1. Capacitance is sampled, not 100% tested
DC AND OPERATING CHARACTERISTICS
Parameter
Input leakage current
Output leakage current
Operating power supply
Average operating current
Output low voltage
Output high voltage
Standby Current (TTL)
Standby Current (CMOS)
Symbol
Test Conditions
ILI V IN=V SS to VCC
ILO CS1= VIH , CS2=VIL or OE=V IH or WE=VIL, VIO= VSS to VCC
ICC I IO=0mA, CS 1=V IL, CS 2=WE = VIH , VI N=VI H or VIL
ICC1
ICC2
Cycle time=1µs, 100% duty, I IO=0mA,
CS1< 0.2V, CS2>VCC -0.2V,
V IN< 0.2V or VIN >VCC-0.2V
Cycle time = Min, IIO=0mA, 100% duty,
CS1=V IL, CS2=V IH, VIN=V IL or VI H
55ns
70ns
VOL
VO H
IOL = 2.1mA
IOH = -1.0mA
ISB CS1= VIH , CS2=VIL, Other inputs=V IH or V IL
ISB1
CS1>VCC-0.2V, CS 2>V C C-0.2V (CS 1 controlled)
or 0V<CS2<0.2V (CS2 controlled),
Other inputs=0~VCC
(Typ. condition : V C C=3.3V @ 25oC)
(Max. condition : VCC=3.6V @ 85oC)
LL
LF
Min Typ Max
-1 - 1
-1 - 1
- -3
- -3
- - 25
- - 20
- - 0.4
2.4 -
-
- - 0.3
- 0.51) 5
Unit
µA
µA
mA
mA
mA
V
V
mA
µA
NOTES
1. Typical values are measured at Vcc=3.3V, T A=25oC and not 100% tested.
4

4페이지










EM610FV8 전자부품, 판매, 대치품
merging Memory & Logic Solutions Inc.
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1) (WE CONTROLLED)
Address
tWC
CS1
tCW (2)
CS2
tAW
EM610FV8 Series
Low Power, 128Kx8 SRAM
www.DataSheet4U.com
tWR(4)
WE
Data in
Data out
tWP(1)
tAS(3)
High-Z
tWHZ
Data Undefined
tDW tDH
Data Valid
High-Z
tOW
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2) (CS1 CONTROLLED)
tWC
Address
CS1
tAS(3)
tCW(2)
CS2
tAW
tWR(4)
WE
Data in
Data out
High-Z
tWP(1)
tDW tDH
Data Valid
High-Z
7

7페이지


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다운로드[ EM610FV8.PDF 데이터시트 ]

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