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PJB24N10 데이터시트 PDF




Pan Jit International에서 제조한 전자 부품 PJB24N10은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 PJB24N10 자료 제공

부품번호 PJB24N10 기능
기능 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
제조업체 Pan Jit International
로고 Pan Jit International 로고


PJB24N10 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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PJB24N10 데이터시트, 핀배열, 회로
PJB24N10
100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
FEATURES
• RDS(ON), VGS@10V,IDS@30A=24m
• Low On Resistance
• Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product ( FOM )
• Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
• Specially Designed for AC Adapter, High-Frequency Switch
and Synchronous Rectification
• Component are in compliance with EU RoHS 2002/95/EC
directives
MECHANICAL DATA
• Case: TO-263 Molded Plastic
• Terminals : Solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Drain
ORDERING INFORMATION
TYPE
PJB24N10
MARKING
B24N10
PACKAGE PACKING
TO-263
800PCS/REEL
Gate
Source
Maximum RATINGS and Thermal Characteristics (TA=25OC unless otherwise noted )
PA RA ME TE R
S ymb o l
Limit
Drain-Source Voltage
V DS
Gate-Source Voltage
V GS
Continuous Drain Current
ID
Pulsed Drain Current 1)
Maximum Power Dissipation
Derating Factor
TA= 2 5 OC
ID M
PD
Op e ra ti ng J unc ti o n a nd S to ra g e Te m p e ra ture Ra ng e
Avalanche Energy with Single Pulse
IAS=17A, VDD=80V, L=4.7mΗ
Junction-to-Case Thermal Resistance
TJ,TSTG
E AS
RθJC
Junction-to Ambient Thermal Resistance
RθJA
Note: 1. Maximum DC current limited by the package
www.DataSheet4U.com
100
+20
42
160
105
0.84
-55 to +150
680
1.2
62.5
Uni ts
V
V
A
A
W
OC
mJ
OC /W
OC /W
PAN JIT RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE
June 03, 2010-REV.00
PAGE . 1




PJB24N10 pdf, 반도체, 판매, 대치품
PJB24N10
Typical Characteristics Curves ( Ta=25, unless otherwise noted)
10
VDS=50V
8 ID =30A
6
4
2
0
0 10 20 30 40 50
Qg - Gate Charge (nC)
Fig. 7 Gate Charge Waveform
60
1.2
ID = 250µA
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
TJ - Junction Temperature (oC)
Fig.9 Breakdown Voltage vs Junction Temperature
100
VGS = 0V
10
1 TJ = 125oC
0.1
25oC
-55oC
0.01
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
VSD - Source-to-Drain Voltage (V)
Fig.8 Source-Drain Diode Forward Voltage
www.DataSheet4U.com
June 03, 2010-REV.00
PAGE. 4

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