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R1LP0108E 데이터시트 PDF




Renesas Technology에서 제조한 전자 부품 R1LP0108E은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 R1LP0108E 자료 제공

부품번호 R1LP0108E 기능
기능 1Mb Advanced LPSRAM (128k word x 8bit)
제조업체 Renesas Technology
로고 Renesas Technology 로고


R1LP0108E 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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R1LP0108E 데이터시트, 핀배열, 회로
R1LP0108E Series
1Mb Advanced LPSRAM (128k word x 8bit)
R10DS0029EJ0200
Rev.2.00
2011.01.14
Description
The R1LP0108E Series is a family of low voltage 1-Mbit static RAMs organized as 131,072-word by 8-bit, fabricated
by Renesas’s high-performance 0.15um CMOS and TFT technologies. The R1LP0108E Series has realized higher
density, higher performance and low power consumption. The R1LP0108E Series is suitable for memory applications
where a simple interfacing, battery operating and battery backup are the important design objectives. It has been
packaged in 32-pin SOP,32-pin TSOP and 32-pin sTSOP.
Features
Single 4.5~5.5V power supply
Small stand-by current: 1µA (5.0V, typical)
No clocks, No refresh
All inputs and outputs are TTL compatible.
Easy memory expansion by CS1# and CS2
Common Data I/O
Three-state outputs: OR-tie Capability
OE# prevents data contention on the I/O bus
www.DataSheet4U.com
R10DS0029EJ0200 Rev.2.00
2011.01.14
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R1LP0108E pdf, 반도체, 판매, 대치품
R1LP0108E Series
Pin Description
Pin name
Vcc
Vss
A0 to A16
DQ0 to DQ7
CS1#
CS2
WE#
OE#
NC
Power supply
Ground
Address input
Data input/output
Chip select 1
Chip select 2
Write enable
Output enable
Non connection
Function
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R10DS0029EJ0200 Rev.2.00
2011.01.14
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R1LP0108E 전자부품, 판매, 대치품
R1LP0108E Series
DC Operating Conditions
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Supply voltage
Vcc 4.5 5.0 5.5
Vss 0 0 0
Input high voltage
VIH 2.2 - Vcc+0.3
Input low voltage
VIL -0.3 - 0.8
R Ver.
0 - +70
Ambient temperature range
Ta
I Ver.
-40 - +85
Note 1. –3.0V for pulse 30ns (full width at half maximum)
2. Ambient temperature range depends on R/I-version. Please see table on page 1.
Unit
V
V
V
V
°C
°C
Note
1
2
2
DC Characteristics
Parameter
Input leakage current
Output leakage current
Average operating current
Standby current
Standby current
Symbol
| ILI |
| ILO |
ICC1
ICC2
ISB
Min. Typ. Max. Unit
Test conditions
- - 1 μA Vin = Vss to Vcc
CS1# =VIH or CS2 =VIL or
- - 1 μA OE# =VIH,
VI/O =Vss to Vcc
Min. cycle, duty =100%, II/O = 0mA
- 25 35 mA
CS1# =VIL, CS2 =VIH, Others = VIH/VIL
Cycle =1μs, duty =100%, II/O = 0mA
- 2 5 mA CS1# 0.2V, CS2 Vcc-0.2V,
VIH Vcc-0.2V, VIL 0.2V
“CS2 =VIL” or
- - 3 mA “CS2 = VIH and CS1# =VIH”,
Others = Vss to Vcc
-
1*1
Vin = Vss to Vcc
2 μA ~+25°C
- - 3 μA ~+40°C (1) CS2 0.2 or
ISB1 (2) CS1# Vcc-0.2V,
-
-
8 μA ~+70°C
CS2 Vcc-0.2V
- - 10 μA ~+85°C
Output high voltage
VOH
2.4 -
- V IOH = -1mA
VOH2
Vcc
- 0.5
-
- V IOH = -0.1mA
Output low voltage
VOL - - 0.4 V IOL = 2mA
Note 1. Typical parameter indicates the value for the center of distribution at 5.0V (Ta= 25ºC), and not 100% tested.
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R10DS0029EJ0200 Rev.2.00
2011.01.14
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