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부품번호 | WTM2310A 기능 |
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기능 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET | ||
제조업체 | Weitron Technology | ||
로고 | |||
N-Channel Enhancement
Mode Power MOSFET
P b Lead(Pb)-Free
1
GATE
Features:
* Simple Drive Requirement.
* Super High Density Cell Design for Extremely Low RDS(ON).
3 DRAIN
2 SOURCE
WTM2310A
DRAIN CURRENT
5.0 AMPERES
DRAIN SOUCE VOLTAGE
60 VOLTAGE
1
2
3
1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
SOT-89
Maximum Ratings (TA=25°C Unless Otherwise Specified)
Drain-Source Voltage
Rating
Symbol
VDS
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
TA=25°C
TA=70°C
VGS
ID
IDM
Total Power Dissipation (TA=25°C )
Maximum Junction-Ambient 3
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Note 1. Pulse width limited by Max. junction temperature.
2. Pulse width ≤ 300us, duty cycle ≤ 2%.
3. Surface mounted on FR4 board, t ≤10sec.
PD
R θJA
TJ
Tstg
www.DataSheet4U.com
Device Marking
WTM2310A = 2310A
Value
60
±20
5.0
4.0
10
1.50
83.3
-55~+150
-55~+150
Unit
V
V
A
A
W
°C/W
°C
°C
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
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04-Feb-10
WTM2310A
VDS (V)
Pulse Width (s)
Fig 7. Maximum Safe Operating Area Fig 8. Single Pulse Maximum Power Dissipation
Qg (nC)
Fig 9. Gate Charge Characteristics
VDS (V)
Fig 10. Typical Capacitance Characteristics
Fig 11. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
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04-Feb-10
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
WTM2310A | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET | Weitron Technology |
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