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L034 데이터시트 PDF




IXYS Corporation에서 제조한 전자 부품 L034은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 L034 자료 제공

부품번호 L034 기능
기능 MegaMOSTMFET Module
제조업체 IXYS Corporation
로고 IXYS Corporation 로고


L034 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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L034 데이터시트, 핀배열, 회로
MegaMOSTMFET
Module
N-Channel Enhancement Mode
VMO 380-02 F
1
V
DSS
ID25
RDS(on)
= 200 V
= 385 A
= 4.6 m
Preliminary data
Symbol
V
DSS
VDGR
VGS
VGSM
ID25
I
DM
PD
TJ
TJM
Tstg
VISOL
Md
Weight
Test Conditions
T
J
= 25°C to 150°C
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 10 k
Continuous
Transient
TK = 25°C
T
K
=
25°C,
t
P
=
10
µs
TC = 25°C
T
K
=
25°C
50/60 Hz
IISOL 1 mA
t = 1 min
t=1s
Mounting torque (M6)
Terminal connection torque (M5)
typical including screws
11
10 2
Maximum Ratings
200 V
200 V
±20 V
±30 V
385
1540
A
A
2230
1505
W
W
-40 ...+150
150
-40 ... +125
°C
°C
°C
3000
3600
V~
V~
2.25-2.75/20-25 Nm/lb.in.
2.5-3.7/22-33 Nm/lb.in.
250 g
2
1
11
10
1 = Drain
10 = Kelvin Source
2 = Source
11 = Gate
Features
q International standard package
q Direct Copper Bonded Al O ceramic
23
base plate
q Isolation voltage 3600 V~
q Low R HDMOSTM process
DS(on)
q Low package inductance for high
speed switching
q Kelvin Source contact for easy drive
Symbol
VDSS
VGS(th)
IGSS
I
DSS
R
DS(on)
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
=
25°C,
unless
otherwise
specified)
min. typ. max.
VGS = 0 V, ID = 12 mA
VDS = 20 V, ID = 120 mA
200
3
VGS = ±20 V DC, VDS = 0
V =V ,
DS DSS
V =0V
GS
T
J
=
25°C
VDS = 0.8 • VDSS, VGS = 0 V TJ = 125°C
V = 10 V, I = 0.5 • I
GS D D25
Pulse test, t 300 µs, duty cycle d 2 %
V
6V
±500 nA
2,5 mA
12 mA
4.6 m
Applications
q AC motor speed control for electric
vehicles
q DC servo and robot drives
q Switched-mode and resonant-mode
power supplies
q DC choppers in fork lift trucks
Advantages
q Easy to mount
q Space and weight savings
q High power density
q Low losses
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS Corporation
3540 Bassett Street, Santa Clara,CA 95054
Tel: 408-982-0700 Fax: 408-496-0670
IXYS Semiconductor
Edisonstr. 15, D-68623 Lampertheim, Germany
Tel: +49-6206-5030 Fax: +49-6206-503629




L034 pdf, 반도체, 판매, 대치품
VMO 380-02 F
15
VDS = 100 V
VGS
V ID = 190 A
IG = 11 mA
12
9
10000
ID A
1000
Limited by RDS(on)
TS = 25°C
TJ = 150°C
non-repetitive
t = 1 ms
6
100 t = 10 ms
3
0
0 500 1000 1500 2000 2n5C00 3000
Qg
Fig. 7 Typical turn-on gate charge characteristics
t = 100 ms
10
1 10 100 V 1000
VDS
Fig. 8 Forward Bias Safe Operating Area, ID = f (VDS)
1000
nF
C
100
10
1200
A
1000
IS
800
Ciss
600
Coss
TJ = 125°C
TJ = 25°C
400
Crss
200
1
0 5 10 15 20 V 25
VDS
Fig. 9 Typical capacitances C = f (VDS), f = 1 MHz
1000
Id 900
800
D= 0.1
700 D= 0.2
600
D= 0.3
500 D= 0.4
TK = 80°C
0
0.00 0.25 0.50 0.75 1.00 1.25 V 1.50
VSD
Fig. 10 Typical forward characteristics of reverse
diode, IS = f (VSD)
0.1
K/W
D = 0.5
ZthJK
D= 0.2
0.01 D= 0.1
400
300
D= 0.5
D= 0.7
200
D=0.05
D=0.02
D=0.01
100
D = single pulse
0
0.0001
0.001
0.01
0.1 s 1
tp
Fig. 11 Drain current versus pulse width and
duty cycle
0.001
0.001
0.01
0.1
1s
tp
10
Fig. 12 Transient thermal resistance ZthJK = f (tp)
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025

4페이지












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