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L2721 데이터시트 PDF




Polyfet RF Devices에서 제조한 전자 부품 L2721은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 L2721 자료 제공

부품번호 L2721 기능
기능 SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR
제조업체 Polyfet RF Devices
로고 Polyfet RF Devices 로고


L2721 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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L2721 데이터시트, 핀배열, 회로
polyfet rf devices
L2721
General Description
Silicon VDMOS and LDMOS
transistors designed specifically
for broadband RF applications.
Suitable for Militry Radios,
Cellular and Paging Amplifier Base
Stations, Broadcast FM/AM, MRI,
Laser Driver and others.
TM
"Polyfet" process features
low feedback and output capacitances
resulting in high F t transistors with high
input impedance and high efficiency.
SILICON GATE ENHANCEMENT MODE
RF POWER LDMOS TRANSISTOR
15.0 Watts Single Ended
Package Style S02
HIGH EFFICIENCY, LINEAR
HIGH GAIN, LOW NOISE
Total
Device
Dissipation
80 Watts
Junction to
Case Thermal
Resistance
o
1.80 C/W
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( T = 25 oC )
Maximum
Junction
Temperature
200 oC
Storage
Temperature
oo
-65 C to 150 C
DC Drain
Current
8.0 A
Drain to
Gate
Voltage
36 V
Drain to
Source
Voltage
36 V
Gate to
Source
Voltage
20 V
RF CHARACTERISTICS ( 15.0 WATTS OUTPUT )
SYMBOL PARAMETER
MIN TYP MAX UNITS TEST CONDITIONS
Gps Common Source Power Gain
η Drain Efficiency
11
55
dB Idq = 0.20 A, Vds = 12.5 V, F = 500MHz
% Idq = 0.20 A, Vds = 12.5 V, F = 500 MHz
VSWR Load Mismatch Tolerance
20:1 Relative Idq = 0.20 A, Vds = 12.5 V, F = 500MHz
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( EACH SIDE )
SYMBOL PARAMETER
MIN TYP MAX UNITS TEST CONDITIONS
Bvdss
Idss
Drain Breakdown Voltage
Zero Bias Drain Current
40 V Ids = 0.20 mA, Vgs = 0V
2.0 mA
Vds = 12.5 V, Vgs = 0V
Igss Gate Leakage Current
1 uA
Vds = 0V Vgs = 30V
Vgs Gate Bias for Drain Current
1
7V
Ids = 0.20 A, Vgs = Vds
gM Forward Transconductance
1.7 Mho Vds = 10V, Vgs = 5V
Rdson Saturation Resistance
0.40
Ohm
Vgs = 20V, Ids = 8.00 A
Idsat
Saturation Current
13.00
Amp Vgs = 20V, Vds = 10V
Ciss Common Source Input Capacitance
50.0 pF Vds = 12.5 Vgs = 0V, F = 1 MHz
Crss
Common Source Feedback Capacitance
2.0 pF Vds = 12.5 Vgs = 0V, F = 1 MHz
Coss Common Source Output Capacitance
40.0 pF Vds = 12.5 Vgs = 0V, F = 1 MHz
POLYFET RF DEVICES
REVISION 09/04/2001
1110 Avenida Acaso, Camarillo, Ca 93012 Tel:(805) 484-4210 FAX: (805) 484-3393 EMAIL:[email protected] URL:www.polyfet.com





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