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IXA17IF1200HJ 데이터시트 PDF




IXYS에서 제조한 전자 부품 IXA17IF1200HJ은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 IXA17IF1200HJ 자료 제공

부품번호 IXA17IF1200HJ 기능
기능 XPT IGBT
제조업체 IXYS
로고 IXYS 로고


IXA17IF1200HJ 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IXA17IF1200HJ 데이터시트, 핀배열, 회로
XPT IGBT
Copack
IXA17IF1200HJ
preliminary
I C25 =
VCES
=
V =CE(sat)typ
28 A
1200 V
1.8 V
Part number
IXA17IF1200HJ
C (2)
(G) 1
Features / Advantages:
Easy paralleling due to the positive temperature
coefficient of the on-state voltage
Rugged XPT design (Xtreme light Punch Through)
results in:
- short circuit rated for 10 µsec.
- very low gate charge
- low EMI
- square RBSOA @ 3x Ic
Thin wafer technology combined with the XPT design
results in a competitive low VCE(sat)
SONIC™ diode
- fast and soft reverse recovery
- low operating forward voltage
E (3)
Applications:
AC motor drives
Solar inverter
Medical equipment
Uninterruptible power supply
Air-conditioning systems
Welding equipment
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
Inductive heating, cookers
Package:
Housing: ISOPLUS247
rIndustry standard outline
rDCB isolated backside
rIsolation Voltage 3000 V
rEpoxy meets UL 94V-0
rRoHS compliant
IGBT
Symbol
VCES
VGES
IC25
I C90
Ptot
I CES
Definition
Collector emitter voltage
Maximum DC gate voltage
Collector current
Total power dissipation
Collector emitter leakage current
I GES
VCE(sat)
Gate emitter leakage current
Collector emitter saturation voltage
VGE(th)
Q Gon
t d(on)
tr
t d(off)
tf
Eon
Eoff
RBSOA
Gate emitter threshold voltage
Total gate charge
Turn-on delay time
Current rise time
Turn-off delay time
Current fall time
Turn-on energy per pulse
Turn-off energy per pulse
Reverse bias safe operation area
www.DSaCtaSSOheAet4U.Schoomrt circuit safe operation area
tSC Short circuit duration
I SC
RthJC
Short circuit current
Thermal resistance juntion to case
Conditions
VGE = 0 V
TVJ = 25°C
TVJ = 25°C
TC = 25°C
TC = 90°C
VCE = VCES ; VGE = 0 V
TVJ = 25°C
TVJ = 25°C
TVJ = 125 °C
VCE = 0 V; VGE = ±20 V
IC = 16 A; VGE = 15 V
IC = 0.6 mA; VGE = VCE
TVJ = 25°C
TVJ = 125 °C
VCE = 600 V; VGE = 15 V; IC = 15 A
Inductive load
VCE = 600 V; IC = 15 A
VGE = ±15 V; RG= 56 Ω
VGE = 15 V; RG = 56 Ω
VCEK = 1200 V
TVJ = 125 °C
TVJ = 125°C
Ratings
min. typ. max.
1200
±20
28
18
100
0.1
0.1
500
1.8 2.1
2.1
5.5 6 6.5
47
70
40
250
100
1.55
1.7
45
Unit
V
V
A
A
W
mA
mA
nA
V
V
V
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
A
VCE = 900 V; VGE= ±15 V
RG = 56 Ω ; non-repetitive
TVJ = 125°C
10 µs
60 A
1.26 K/W
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
© 2009 IXYS all rights reserved
Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified
20090409




IXA17IF1200HJ pdf, 반도체, 판매, 대치품
30
VGE = 15 V
25
20
IC 15
[A]
10
TVJ = 25°C
TVJ = 125°C
5
0
012
VCE [V]
Fig. 1 Typ. output characteristics
3
30
25
20
IC
15
[A]
10
5 TVJ = 125°C
TVJ = 25°C
0
5 6 7 8 9 10 11 12 13
VGE [V]
Fig. 3 Typ. tranfer characteristics
4
RG = 56
VCE = 600 V
3
VGE = ±15 V
TVJ = 125°C
Eon
Eoff
E
2
[mJ]
1
www.DataSheet4U.com
0
0 5 10 15 20 25 30 35
IC [A]
Fig. 5 Typ. switching energy vs. collector current
IXA17IF1200HJ
preliminary
30
VGE = 15 V
25
17 V
19 V
13 V
11 V
20
IC 15
TVJ = 125°C
[A]
10
9V
5
0
01234
VCE [V]
Fig. 2 Typ. output characteristics
20
IC = 15 A
VCE = 600 V
15
5
VGE 10
[V]
5
0
0 10 20 30 40 50
QG [nC]
Fig. 4 Typ. turn-on gate charge
2.8
IC = 15 A
VCE = 600 V
2.4
VGE = ±15 V
TVJ = 125°C
60
E
2.0
[mJ]
1.6
Eoff
Eon
1.2
40 60 80 100 120 140 160
RG [ ]
Fig. 6 Typ. switching energy vs. gate resistance
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
© 2009 IXYS all rights reserved
Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified
20090409

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