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PDF 2SK3652 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2SK3652 | |
| Descripción | N-channel Enhancement Mode MOSFET | |
| Fabricantes | Guangdong Kexin Industrial | |
| Logotipo |  |
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SMD Type
TransistIoCrs
N-channel Enhancement Mode MOSFET
2SK3652
Features
Low on-resistance, low Qg
High avalanche resistance
For high-speed switching
TO-263
+0.2
4.57+0.1 -0.2
1.27-0.1
Unit: mm
1.27+0.1
-0.1
0.1max
2.54 5.08+0.2
-0.2 +0.1
-0.1
0.81+0.1
-0.1
2.54
0.4+0.2
-0.2
1 Gate
2 Drain
3 Source
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter
Drain-source surrender voltage
Gate-source surrender voltage
Drain current
Peak drain current
Avalanche energy capability *
Power dissipation Ta = 25
Power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
* L = 1 mH, IL = 50 A, VDD = 100 V, 1 pulse, Ta = 25
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDP
EAS
PD
Tch
Tstg
Rating
230
30
50
200
2 200
3
100
150
-55 to +150
Unit
V
V
A
A
mJ
W
www.DataSheet4U.com
www.kexin.com.cn 1
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2SK365 | Silicon N Channel Junction Type Transistor |  Toshiba Semiconductor |
| 2SK3650-01L | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |  Fuji Electric |
| 2SK3650-01S | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | Fuji Electric |
| 2SK3650-01SJ | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | Fuji Electric |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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