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SPI21N50C3 데이터시트 PDF




Infineon Technologies에서 제조한 전자 부품 SPI21N50C3은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 SPI21N50C3 자료 제공

부품번호 SPI21N50C3 기능
기능 Power Transistor
제조업체 Infineon Technologies
로고 Infineon Technologies 로고


SPI21N50C3 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 14 페이지수

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SPI21N50C3 데이터시트, 핀배열, 회로
Cool MOS™ Power Transistor
Feature
New revolutionary high voltage technology
Worldwide best RDS(on) in TO 220
Ultra low gate charge
Periodic avalanche rated
Extreme dv/dt rated
Ultra low effective capacitances
Improved transconductance
SPP21N50C3
SPI21N50C3, SPA21N50C3
VDS @ Tjmax
RDS(on)
ID
560
0.19
21
V
A
PG-TO220FP
P G-TO262 PG-TO220
3
12
Type
SPP21N50C3
SPI21N50C3
SPA21N50C3
Package
PG-TO220
PG-TO262
PG-TO220FP
Ordering Code
Q67040-S4565
Q67040-S4564
SP000216364
Marking
21N50C3
21N50C3
21N50C3
Maximum Ratings
Parameter
Continuous drain current
TC = 25 °C
TC = 100 °Cwww.DataSheet4U.net
Pulsed drain current, tp limited by Tjmax
Avalanche energy, single pulse
ID=10A, VDD=50V
Avalanche energy, repetitive tAR limited by Tjmax2)
ID=21A, VDD=50V
Avalanche current, repetitive tAR limited by Tjmax
Gate source voltage
Gate source voltage AC (f >1Hz)
Power dissipation, TC = 25°C
Operating and storage temperature
Reverse diode dv/dt 7)
Rev. 3.2
page 1
Symbol
ID
ID puls
EAS
EAR
IAR
VGS
VGS
Ptot
Tj , Tstg
dv/dt
Value
SPP_I
SPA
21
13.1
63
690
211)
13.11)
63
690
Unit
A
A
mJ
11
21 21
±20 ±20
±30 ±30
208 34.5
-55...+150
15
A
V
W
°C
V/ns
2009-12-22




SPI21N50C3 pdf, 반도체, 판매, 대치품
SPP21N50C3
SPI21N50C3, SPA21N50C3
Electrical Characteristics
Parameter
Symbol Conditions
Inverse diode continuous
forward current
Inverse diode direct current,
pulsed
Inverse diode forward voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Peak reverse recovery current
Peak rate of fall of reverse
recovery current
IS TC=25°C
ISM
VSD
trr
Qrr
Irrm
dirr/dt
VGS=0V, IF=IS
VR=380V, IF=IS ,
diF/dt=100A/µs
Tj=25°C
min.
-
Values
typ. max.
- 21
Unit
A
- - 63
- 1 1.2 V
- 450 720 ns
- 9 - µC
- 60 - A
- 1200 - A/µs
Typical Transient Thermal Characteristics
Symbol
Value
Unit Symbol
SPP_I
SPA
Rth1
Rth2
Rth3
Rth4
Rth5
R th6www.DataSheet4U.net
0.00769
0.015
0.029
0.114
0.136
0.059
0.00769
0.015
0.029
0.16
0.319
2.523
K/W
Cth1
Cth2
Cth3
Cth4
Cth5
Cth6
Value
SPP_I
SPA
0.0003763 0.0003763
0.001411 0.001411
0.001931 0.001931
0.005297 0.005297
0.012
0.008659
0.091
0.412
Unit
Ws/K
Ptot (t)
Tj Rth1
C th1
C th 2
R th,n
Tcase External Heatsink
C th,n
Tamb
Rev. 3.2
page 4
2009-12-22

4페이지










SPI21N50C3 전자부품, 판매, 대치품
SPP21N50C3
SPI21N50C3, SPA21N50C3
9 Typ. drain-source on resistance
RDS(on)=f(ID)
parameter: Tj=150°C, VGS
1.5
10 Drain-source on-state resistance
RDS(on) = f (Tj)
parameter : ID = 13.1 A, VGS = 10 V
SPP21N50C3
1.1
Vgs = 4V
Vgs = 4.5V
Vgs = 5V
Vgs = 5.5V
Vgs = 6V
Vgs = 20V
0.9
0.6
0.30 5 10 15 20 25 30 A 40
ID
11 Typ. transfer characteristics
ID= f ( VGS ); VDS2 x ID x RDS(on)max
parameter: tp = 10 µs
70
A
www.DataSheet4U.net
50
40
Tj = 25°C
Tj = 150°C
30
20
10
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
98%
0.2 typ
0.1
0-60 -20 20 60 100
12 Typ. gate charge
VGS = f (QGate)
parameter: ID = 21 A pulsed
16 SPP21N50C3
V
°C 180
Tj
12
10
0,2 VDS max
0,8 VDS max
8
6
4
2
00 2 4 6 V 10
VGS
Rev. 3.2
page 7
00 20 40 60 80 100 nC 140
QGate
2009-12-22

7페이지


구       성 총 14 페이지수
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