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4GBJ801 데이터시트 PDF




HY ELECTRONIC에서 제조한 전자 부품 4GBJ801은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 4GBJ801 자료 제공

부품번호 4GBJ801 기능
기능 (4GBJ8005 - 4GBJ810) GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
제조업체 HY ELECTRONIC
로고 HY ELECTRONIC 로고


4GBJ801 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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4GBJ801 데이터시트, 핀배열, 회로
GLASS PASSIVATED
BRIDGE RECTIFIERS
FEATURES
Rating to 1000V PRV
Ideal for printed circuit board
Low forward voltage drop,high current capability
Reliable low cost construction utilizing molded plastic
technique results in inexpensive product
The plastic material has U/L flammability
classification 94V-0
4GBJ8005 thru 4GBJ810
REVERSE VOLTAGE - 50 to 1000Volts
FORWARD CURRENT - 8.0 Amperes
4GBJ
? .134(3.4)
? .122(3.1)
.995(25.3)
.983(24.7)
.118(3.0)*45°
+~ ~-
.057(1.45)
.041(1.05)
.083(2.1)
.069(1.7)
.043(1.1)
.035(0.9)
.189(4.8)
.173(4.4)
.150(3.8)
.134(3.4)
.114(2.9)
.098(2.5)
.303(7.7)
.287(7.3)
.303(7.7)
.287(7.3)
.303(7.7)
.287(7.3)
SPACING
.031(0.8)
.023(0.6)
Dimensions in inches and (milimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
SYMBOL
VRRM
4GBJ
8005
50
4GBJ
801
100
4GBJ
802
200
4GBJ
804
400
4GBJ
806
600
4GBJ
808
800
4GBJ
810
1000
Maximum RMS Voltage
VRMS
35
70 140 280 420 560 700
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward (with heatsink Note 2)
Rectified Current @ TC=100(without heatsink)
Peak Forward Surge Current
8.3ms Single Half Sine-Wave
Super Imposed on Rated Load (JEDEC Method)
Maximum Forward Voltage at 4.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
@ TJ=25
@ TJ=125
I2t Rating for Fusing (t<8.3ms)
Typical Junction Capacitance Per Element (Note1)
Typical Thermal Resistance
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
VDC 50 100 200 400 600 800 1000
I(AV)
8.0
2.9
IFSM
160
VF
IR
I2t
CJ
RθJC
TJ
TSTG
1.1
10.0
500
120
55
1.8
-55 to +150
-55 to +150
NOTES: 1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
2.Device mounted on 75mm*75mm*1.6mm Cu plate heatsink.
UNIT
V
V
V
A
A
V
μA
A2s
pF
/W
www.DataSheet4U.net
~ 490 ~





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다운로드[ 4GBJ801.PDF 데이터시트 ]

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