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2N5115 데이터시트 PDF




Micross에서 제조한 전자 부품 2N5115은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 2N5115 자료 제공

부품번호 2N5115 기능
기능 Switching
제조업체 Micross
로고 Micross 로고


2N5115 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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2N5115 데이터시트, 핀배열, 회로
2N5115
P-CHANNEL JFET
Linear Systems replaces discontinued Siliconix 2N5115
This analog switch is designed for inverting switching
into inverting input of an Operational Amplifier.
The hermetically sealed TO-18 package is well suited
for hi-reliability and harsh environment applications.
FEATURES 
DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX 2N5115 
LOW ON RESISTANCE 
LOW CAPACITANCE 
rDS(on) ≤ 100Ω 
6pF 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS @ 25°C (unless otherwise noted) 
(See Packaging Information).
Maximum Temperatures 
2N5115 Benefits:
ƒ Low On Resistance
ƒ ID(off) 500 pA
ƒ Switches directly from TTL logic
2N5115 Applications:
ƒ Analog Switches
ƒ Commutators
ƒ Choppers
Storage Temperature 
Operating Junction Temperature 
Maximum Power Dissipation 
Continuous Power Dissipation  
MAXIMUM CURRENT
Gate Current (Note 1) 
MAXIMUM VOLTAGES 
Gate to Drain Voltage 
Gate to Source Voltage 
55°C to +200°C 
55°C to +200°C 
500mW 
IG = ‐50mA 
VGDS = 30V 
VGSS = 30V 
2N5115 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL 
CHARACTERISTIC 
MIN  TYP.  MAX  UNITS 
CONDITIONS 
BVGSS 
VGS(off) 
VGS(F) 
Gate to Source Breakdown Voltage 
Gate to Source Cutoff Voltage 
Gate to Source Forward Voltage 
30  ‐‐ 
‐‐   
3  ‐‐  6 
 
‐‐  ‐0.7  ‐1 
V 
IG = 1µA,   VDS = 0V 
VDS = ‐15V, ID = ‐1nA 
IG = ‐1mA,   VDS = 0V 
 
VDS(on) 
 
Drain to Source On Voltage 
‐‐  ‐1.0  ‐‐ 
‐‐  ‐0.7  ‐0.8 
VGS = 0V, ID = ‐15mA 
VGS = 0V, ID = ‐7mA 
‐‐  ‐0.5  ‐‐ 
VGS = 0V, ID = ‐3mA 
IDSS  Drain to Source Saturation Current (Note 2)  ‐15  ‐‐  ‐60  mA 
VDS = ‐15V, VGS = 0V 
IGSS 
Gate Reverse Current 
‐‐  5  500 
IG 
 
ID(off) 
ClickrDS(on) 
Gate Operating Current 
 
Drain Cutoff Current 
Drain to Source On Resistance 
To‐‐  ‐5  ‐‐ 
‐‐  ‐10  ‐‐ 
‐‐  ‐10  ‐500 
‐‐  ‐10  ‐‐ 
‐‐  ‐‐  100 
2N5115 DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) 
  VGS = 20V,  VDS = 0V 
Buy  VDS = ‐15V,  ID = ‐1mA 
pA  VDS = ‐15V, VGS = 12V 
  VDS = ‐15V, VGS = 7V 
VDS = ‐15V, VGS = 5V 
Ω  ID = ‐1mA,   VGS = 0V 
SYMBOL 
CHARACTERISTIC 
MIN  TYP.  MAX  UNITS 
CONDITIONS 
gfs 
Forward Transconductance 
‐‐  4.5  ‐‐  mS 
VDS = ‐15V,  ID = 1mA , f = 1kHz 
gos 
Output Conductance 
‐‐  20  ‐‐  µS 
rDS(on) 
Drain to Source On Resistance 
‐‐  ‐‐  100  Ω 
ID = 0A,   VGS = 0V,   f = 1kHz 
Ciss 
Input Capacitance 
‐‐  20  25 
 
VDS = ‐15V, VGS = 0V, f = 1MHz 
 
 
‐‐  5  ‐‐  pF 
VDS = 0V, VGS = 12V, f = 1MHz 
Crss 
Reverse Transfer Capacitance 
‐‐  6  7 
VDS = 0V, VGS = 7V, f = 1MHz 
‐‐  6  ‐‐ 
VDS = 0V, VGS = 5V, f = 1MHz 
en 
Equivalent Noise Voltage 
‐‐ 
20 
‐‐  nV/Hz 
VDG = 10V,  ID = 10mA , f = 1kHz 
2N5115 SWITCHING CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) 
SYMBOL 
CHARACTERISTIC 
  UNITS 
CONDITIONS 
td(on) 
tr 
td(off) 
tf 
Turn On Time 
Turn On Rise Time 
Turn Off Time 
Turn Off Fall Time 
10   
20   
ns 
8 
30 
VGS(L) = ‐7V 
VGS(H) = 0V 
 
See Switching Circuit 
Note 1 ‐ Absolute maximum ratings are limiting values above which 2N5115 servicea  b  i l i t y   m   a  y  b  e    i m   p  a  i r e  d  .   N   o  t e    2      P  u  l s e    t e  s  t :  P  W       3 0  0   µ   s ,   D  u  t  y  C   y c  l e     3% 
2N5115 SWITCHING CIRCUIT PARAMETERS                                                                                                                          
VDD 
VGG 
RL 
RG 
ID(on) 
6V 
12V 
910Ω 
220Ω 
7mA 
 
 
 
 
 
Micross Components Europe
Available Packages:
2N5115 in TO-18
2N5115 in bare die.
Please contact Micross for full
package and die dimensions
TO-18 (Bottom View)
SWITCHING TEST CIRCUIT
Tel: +44 1603 788967
Web: http://www.micross.com/distribution
Information furnished by Linear Integrated Systems and Micross Components is believed to be accurate and reliable. However, no responsibility is assumed for its use; nor for any infringement of patents or
other rights of third parties which may result from its use. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Linear Integrated Systems.





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