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LSU405 데이터시트 PDF




Micross에서 제조한 전자 부품 LSU405은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 LSU405 자료 제공

부품번호 LSU405 기능
기능 Low Noise
제조업체 Micross
로고 Micross 로고


LSU405 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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LSU405 데이터시트, 핀배열, 회로
LSU405
LOW NOISE, LOW DRIFT
MONOLITHIC DUAL
N-CHANNEL JFET
Linear Systems replaces discontinued Siliconix U405 with LSU405
The U405/ LSU405 is a Low Noise, Low Drift, Monolithic Dual N-Channel JFET
The LSU405 is a high-performance monolithic dual
JFET featuring extremely low noise, tight offset voltage
and low drift over temperature specifications, and is
targeted for use in a wide range of precision
instrumentation applications. The LSU405 features a 5-
mV offset and 10-µV/°C drift. The LSU405 is a direct
replacement for discontinued Siliconix U405.
FEATURES 
LOW DRIFT 
LOW NOISE 
LOW PINCHOFF 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
@ 25°C (unless otherwise noted) 
| V GS12 / T| = 10µV/°C TYP. 
en = 6nV/Hz @ 10Hz TYP. 
Vp = 2.5V TYP. 
The hermetically sealed TO-71 & TO-78 packages are
well suited for military applications. .
Maximum Temperatures 
Storage Temperature 
Operating Junction Temperature 
65°C to +150°C 
+150°C 
(See Packaging Information).
U405 / LSU405 Applications:
Maximum Voltage and Current for Each Transistor  Note 1 
VGSS 
Gate Voltage to Drain or Source 
VDSO 
Drain to Source Voltage 
IG(f)  Gate Forward Current 
Maximum Power Dissipation 
50V 
50V 
10mA 
ƒ Wideband Differential Amps
ƒ High-Speed,Temp-Compensated Single-
Device Dissipation @ Free Air  Total                 300mW 
 
Ended Input Amps
ƒ High-Speed Comparators
ƒ Impedance Converters and vibrations
detectors.
MATCHING CHARACTERISTICS @ 25°C UNLESS OTHERWISE NOTED
SYMBOL 
CHARACTERISTICS  VALUE  UNITS  CONDITIONS 
| V GS12 / T| max. 
DRIFT VS. 
TEMPERATURE 
40  µV/°C  VDG=10V, ID=200µA 
TA=55°C to +125°C 
| V GS12 | max. 
OFFSET VOLTAGE  20 
mV  VDG=10V, ID=200µA 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL 
CHARACTERISTICS 
MIN. 
TYP.  MAX. 
UNITS 
CONDITIONS 
BVGSS 
BVGGO 
 
YfSS 
ClickYfS 
Breakdown Voltage 
GateToGate Breakdown 
TRANSCONDUCTANCE 
Full Conduction 
Typical Operation 
50 
±50 
 
2000 
1000 
|YFS12 / Y FS| 
Mismatch 
‐‐ 
To Buy60  ‐‐ 
‐‐  ‐‐ 
  
‐‐  7000 
‐‐  2000 
V 
V 
 
µmho 
µmho 
VDS = 0                  ID=1nA 
      I G= 1nA               ID= 0               IS= 0 
 
VDG= 10V         VGS= 0V      f = 1kHz 
     VDG= 15V         ID= 200µA    f = 1kHz 
0.6  3 
% 
 
 
DRAIN CURRENT 
    
 
 
IDSS 
Full Conduction 
0.5  ‐‐  10 
mA 
VDG= 10V              VGS= 0V 
|IDSS12 / IDSS|  Mismatch at Full Conduction 
  GATE VOLTAGE 
‐‐ 
 
1  5 
  
% 
 
 
 
VGS(off) or Vp 
VGS(on) 
 
Pinchoff voltage 
Operating Range 
GATE CURRENT 
0.5  ‐‐  ‐2.5 
‐‐  ‐‐  ‐2.3 
    
V  VDS= 15V               ID= 1nA 
V                VDS=15V                 ID=200µA 
  
IGmax. 
Operating 
‐‐  ‐4  ‐15 
pA 
VDG= 15V ID= 200µA 
IGmax. 
High Temperature 
‐‐  ‐‐  ‐10 
nA  TA= +125°C
 
IGSSmax. 
At Full Conduction 
‐‐  ‐‐  100 
pA 
VDS =0 
IGSSmax. 
 
High Temperature 
OUTPUT CONDUCTANCE 
5 
 
5  5 
  
pA 
 
VDG= 15V         TA= +125°C 
 
YOSS  Full Conduction  ‐‐ 
YOS  Operating  ‐‐ 
 
COMMON MODE REJECTION 
 
‐‐  20 
0.2  2 
  
µmho 
µmho 
 
VDG= 10V              VGS= 0V 
VDG=  15V            ID= 500µA 
 
CMR 
20 log | V GS12/ V DS| 
95  ‐‐  ‐‐ 
dB 
VDS = 10 to 20V        ID=30µA 
 
NOISE 
    
  VDS= 15V      VGS= 0V       RG= 10M 
NF 
Figure 
‐‐  ‐‐  0.5 
dB 
f= 100Hz           NBW= 6Hz 
en 
Voltage 
‐‐ 
20  ‐‐ 
nV/Hz 
VDS=15V   ID=200µA   f=10Hz  NBW=1Hz 
 
CAPACITANCE 
    
 
 
CISS 
Input 
‐‐  ‐‐  8 
pF  VDS= 15V      ID= 200µA      f= 1MHz 
CRSS 
Reverse Transfer 
‐‐  ‐‐  1.5 
pF 
 
Note 1 – These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor may be impaired
TO-71 / TO-78 (Top View)
Micross Components Europe
Available Packages:
U405 / LSU405 in TO-71 & TO-78
U405 / LSU405 available as bare die
Please cowntwactwM.icDroasstafoSr hfulel peatc4kUag.ecaonmd die dimensions
Tel: +44 1603 788967
Web: http://www.micross.com/distribution
Information furnished by Linear Integrated Systems and Micross Components is believed to be accurate and reliable. However, no responsibility is assumed for its use; nor for any infringement of patents or
other rights of third parties which may result from its use. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Linear Integrated Systems.





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