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IDB30E60 데이터시트 PDF




Infineon Technologies에서 제조한 전자 부품 IDB30E60은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IDB30E60 자료 제공

부품번호 IDB30E60 기능
기능 Fast Switching Emitter Controlled Diode
제조업체 Infineon Technologies
로고 Infineon Technologies 로고


IDB30E60 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 8 페이지수

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IDB30E60 데이터시트, 핀배열, 회로
FFaasstt SSwwiittcchhiinngg EEmmCittoenr DCioondterolled Diode
Feature
600VVEEmmitCteornCteocnhtrnoollleodgytechnology
Fast recovery
Soft switching
Low reverse recovery charge
Low forward voltage
175°C operating temperature
Easy paralleling
IDB30E60
Product Summary
VRRM
IF
VF
Tjmax
600
30
1.5
175
V
A
V
°C
2
1
3
PG-TO263-3
* RoHS compliant
Type
IDB30E60
Package
PG-TO263-3
Ordering Code Marking Pin 1 PIN 2 PIN 3
-
D30E60 NC
C
A
Maximum Ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
PPaararammetetrer
SymSybmobl ol
RReeppeteittiivteivpeepakearekverersveevrosletagveoltage
CCoonntintiunoouussfofrowrwaradrcdurcreunrrtent
TTCC==2255°CC
TTCC==9900°CC
SSuurgrgeenonnornepreetpitievteitfiovrewfaordrwcaurrrdencturrent
TC = 25C, tp = 10 ms, sine halfwave
MTCax=i2m5u°mC, rtepp=e1t0itimves,fosrinwearhdalcfwurarveent
TMC a=x2im5uCm, tprleimpietetditibvyetjf,moarxw, Dar=d0c.5urrent
PToCw=e2r5d°Cis,stippalitmiointed by Tjmax, D=0.5
TPCo=w2e5rCdissipation
TTCC==2950°CC
OTpCe=r9a0ti°nCg junction temperature
SOtopreagraettienmgpaenradtusrteorage temperature
SSooldldereinrigntgemtepmerpaeturraeture
1r.e6flmowms(o0l.d0e6r3inign,.)MfrSoLm1 case for 10 s
VRRVMR R M
IF
IF
IFSMI F S M
IFRMI F R M
PtotPt o t
Tj
Tj , TTssttgg
TS TS
Rev.2.4
Page 1
VaVlauleue
606000
525.23.3
343.49.9
111717
8181
UUnint it
VV
A
A
A
A
142.9
14280.9.9
-8400.9+175
-55-5..5.+...1+71550
262060
WW
°C°C
°C
22001039-1-02-30-504




IDB30E60 pdf, 반도체, 판매, 대치품
1 Power dissipation
Ptot = f (TC)
parameter: Tj 175 °C
150
W
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
25 50 75 100 125 °C 175
TC
3 Typ. diode forward current
IF = f (VF)
2 Diode forward current
IF = f(TC)
parameter: Tj175°C
55
A
IDB30E60
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
25 50 75 100 125 °C 175
TC
4 Typ. diode forward voltage
VF = f (Tj)
90 2
A V 60A
70 -55°C
25°C
100°C
60 150°C
50
40
30
20
10
1.8
1.7
1.6
1.5 30A
1.4
1.3
15A
1.2
1.1
0
0 0.5 1 1.5 V 2.5
VF
1
-60 -20 20 60 100 °C 160
Tj
Rev.2.4
Page 4
22001039-1-02-30-504

4페이지










IDB30E60 전자부품, 판매, 대치품
IDB30E60
Rev.2.4
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2001037-1-02-90-501

7페이지


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