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PDF IDD09E60 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza IDD09E60
Descripción Fast Switching Emitter Controlled Diode
Fabricantes Infineon Technologies 
Logotipo Infineon Technologies Logotipo



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No Preview Available ! IDD09E60 Hoja de datos, Descripción, Manual

Fast Switching Emitter Controlled Diode
Feature
600V Emitter Controlled technology
Fast recovery
Soft switching
Low reverse recovery charge
Low forward voltage
175°C operating temperature
Easy paralleling
IDD09E60
Product Summary
VRRM
600
IF
VF
Tjmax
9
1.5
175
V
A
V
°C
PG-TO252-3
Type
IDD09E60
Package
PG-TO252-3
Ordering Code Marking Pin 1 PIN 2,4 PIN 3
-
D09E60 NC
C
A
Maximum Ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
PPaararmameteerter
SymSybmobl ol
RReeppeteittiviteivpeepakearekverersveevrosletagveoltage
CCoonntintiunoouussfofrowrawrad rcdurcreunrrt ent
VRRVMR R M
IF
TTCC==2255°CC
TTCC==9900°CC
SSuurgregenonnornepreetpitievteitfiovrewfaordrwcaurrrdencturrent
TMTCaC=x=i2m255u°mCC,,rtetppp==e1t01it0imvems,fsos,rinswienaerhdahlcfawulfrawrveaenvte
TMC a=x2im5Cum, tprleimpietetditibvyetjf,moarxw, Dar=d0c.5urrent
PToCw=e2r5d°Cis,stippalitmiointed by Tjmax, D=0.5
TPCo=w2e5rCdissipation
TTCC==2950°CC
IF
IFSMI F S M
IFRMI F R M
PtotPt o t
OTpCe=r9a0ti°nCg junction temperature
Tj
SOtopraegraettienmgpaenradtusretorage temperature
SSooldldereinrgintgemtepmerpaeturraeture
1r.e6fmlomw(0s.o0l6d3eirnin.)gfr,oMmScLas3e for 10 s
Tj , TTssttgg
TS TS
VaVlualeue
606000
191.39.3
1313
4040
292.59.5
57.7
573.72.7
-3402.7+175
-55-5..5.+...1+71550
262060
UUnint it
VV
A
A
A
A
WW
°C°C
°C
Rev. 2.4
Page 1
2013­12­05

1 page




IDD09E60 pdf
IDD09E60
5 Typ. reverse recovery time
trr = f (diF/dt)
parameter: VR = 400V, Tj = 125°C
350
ns
6 Typ. reverse recovery charge
Qrr=f(diF/dt)
parameter: VR = 400V, Tj = 125 °C
800
nC
18A
700
250
18A 650
9A
4.5A
600
9A
200 550
500
150 4.5A
450
400
100
350
52000 300 400 500 600 700 800 A/µs 1000
diF/dt
7 Typ. reverse recovery current
Irr = f (diF/dt)
parameter: VR = 400V, Tj = 125°C
14
A
18A
12 9A
4.5A
11
302000 300 400 500 600 700 800 A/µs 1000
diF/dt
8 Typ. reverse recovery softness factor
S = f(diF/dt)
parameter: VR = 400V, Tj = 125°C
14
18A
10
9A
4.5A
10
8
9
6
8
74
6
2
5
2400 300 400 500 600 700 800 A/µs 1000
diF/dt
2000 300 400 500 600 700 800 A/µs 1000
diF/dt
Rev. 2.4
Page 5
2013­12­05

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
IDD09E60Fast Switching Emitter Controlled DiodeInfineon Technologies
Infineon Technologies

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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