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IDH10S120 데이터시트 PDF




Infineon Technologies에서 제조한 전자 부품 IDH10S120은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IDH10S120 자료 제공

부품번호 IDH10S120 기능
기능 Schottky Diode
제조업체 Infineon Technologies
로고 Infineon Technologies 로고


IDH10S120 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IDH10S120 데이터시트, 핀배열, 회로
thinQ!TM SiC Schottky Diode
Features
• Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide
• Switching behavior benchmark
• No reverse recovery / No forward recovery
• Temperature independent switching behavior
• High surge current capability
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Qualified according to JEDEC1) for target applications
• Optimized for high temperature operation
wwLwo.DwaetasStheFeti4gUu.nreet of Merit QC/IF
IDH10S120
Product Summary
VDC
QC
IF; TC< 130 °C
1620000 V
33.62 nC
130 A
PG-TO220-2
thinQ!TM Diode designed for fast switching applications like:
• SMPS e.g.; CCM PFC
• Motor Drives; Solar Applications; UPS
Type
IDH10S120
Package
PG-TO220-2
Marking
D10S120
Pin 1
C
Pin 2
A
Maximum ratings
Parameter
Symbol Conditions
Continuous forward current
I F T C<130 °C
Surge non-repetitive forward current, I F,SM
sine halfwave
T C=25 °C, t p=10 ms
T C=150 °C, t p=10 ms
Non-repetitive peak forward current I F,max T C=25 °C, t p=10 µs
i ²t value
i 2dt
T C=25 °C, t p=10 ms
T C=150 °C, t p=10 ms
Repetitive peak reverse voltage
V RRM T j=25 °C
Diode dv/dt ruggedness
dv/ dt VR= 0….960 V
Power dissipation
P tot T C=25 °C
Operating and storage temperature
Soldering temperature,
wavesoldering only allowed at leads
Mounting torque
T j, T stg
T sold
1.6mm (0.063 in.)
from case for 10s
M3 and M3.5 screws
Value
10
58
50
250
16
12
1200
50
135
-55 ... 175
260
60
Unit
A
A2s
V
V/ns
W
°C
Mcm
Rev. 2.0
page 1
2010-04-20




IDH10S120 pdf, 반도체, 판매, 대치품
5 Typ. capacitance charge vs. current slope
Q C=f(di F/dt )4); T j=150 °C; I FI F,max
40
6 Transient thermal impedance
Z thJC=f(t p)
parameter: D =t p/T
101
35
30 100
0.5
25
0.2
20
10-1
0.1
0.05
15 0.02
10
10-2
0
5
0
100
400 700
diF/dt [A/µs]
7 Typ. capacitance vs. reverse voltage
C =f(V R); T C=25 °C, f =1 MHz
10-3
1000
10-5
10-4
10-3
t [s]
8 Typ. C stored energy
E C=f(V R)
IDH10S120
10-2
10-1
500
400
300
200
100
0
100
Rev. 2.0
101
VR [V]
102
8
7
6
5
4
3
2
1
0
103 0 100 200 300 400 500 600
VR [V]
page 4
2010-04-20

4페이지












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