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부품번호 | IDV06S60C 기능 |
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기능 | Schottky Diode | ||
제조업체 | Infineon Technologies | ||
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전체 10 페이지수
SiC
Silicon Carbide Diode
www.DataSheet4U.net
2nd Generation thinQ!™
2nd Generation thinQ!™ SiC Schottky Diode
IDV06S60C
Data Sheet
Rev. 2.0, 2010-01-14
Final
Industrial & Multimarket
2 Maximum ratings
2nd Generation thinQ!™ SiC Schottky Diode
IDV06S60C
Maximum ratings
Table 3 Maximum ratings
Parameter
Symbol
Continuous forward current
Surge non-repetitive
forward current, sine halfwave
Non-repetitive peak forward current
i² t value
IF
IF, SM
IF, max
∫i²dt
Repetitive peak reverse voltage
Diode dv/dt ruggedness
Power dissipation
Operating and storage temperature
Mounting torque
VRRM
dv/dt
Ptot
Tj; Tstg
Min.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
- 55
-
Values
Typ. Max.
-6
- 48
- 42
- 400
- 11
8
- 600
- 50
- 33
- 175
- 50
3 Thermal characteristics
Unit Note / Test Condition
A
A²s
V
V/ns
W
°C
TC= < 145°C
TC= 25°C, tp = 10 ms
TC= 150°C, tp = 10 ms
TC= 25°C, tp = 10 µs
TC= 25°C, tp = 10 ms
TC= 150°C, tp = 10 ms
Tj= 25°C
VR= 0...480 V
TC= 25 °C
Ncm M2.5 screws
Table 4 Thermal characteristics TO-220 FullPAK
Parameter
Symbol
Min.
Thermal resistance, junction - case RthJC
Thermal resistance, junction -
ambient
RthJA
-
-
Soldering temperature,
wavesoldering only allowed at
leads
Tsold
-
Values
Typ.
-
-
Max.
4.5
62
- 260
Unit
K/W
Note /
Test Condition
leaded
°C 1.6 mm (0.063 in.)
from case for 10 s
Final Data Sheet
4 Rev. 2.0, 2010-01-14
4페이지 Table 9
Typ. capacitance charge vs. current slope1)
2nd Generation thinQ!™ SiC Schottky Diode
IDV06S60C
Electrical characteristics diagrams
Typ. reverse current vs. reverse voltage
QD=f(diF/dt)4); Tj= 150 °C; IF ≤ IF max
IR =f(VR)
1) Only capacitive charge occuring, guaranteed by design
Table 10
Typ. transient thermal impedance
Typ. capacitance vs. reverse voltage
Zthjc=f(tp) ; parameter: D = tP / T
Final Data Sheet
C=f(VR); TC=25 °C, f=1 MHz
7 Rev. 2.0, 2010-01-14
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IDV06S60C | Schottky Diode | Infineon Technologies |
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